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恭喜华进半导体封装先导技术研发中心有限公司孙瑜获国家专利权

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龙图腾网恭喜华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请的专利一种带有光互连接口的光电芯片三维封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN110890349B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201911326887.2,技术领域涉及:H01L23/538;该发明授权一种带有光互连接口的光电芯片三维封装结构及其制造方法是由孙瑜;刘丰满;曹立强设计研发完成,并于2019-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

一种带有光互连接口的光电芯片三维封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种带有光互连接口的光电芯片三维封装结构,包括:光芯片,所述光芯片的一端具有光互连结构和凹槽;导电通孔,所述导电通孔贯穿所述光芯片;第一布线层,所述第一布线层设置在所述光芯片的正面,且与所述导电通孔电连接;第二布线层,所述第二布线层设置在所述光芯片的背面,且与所述导电通孔电连接;电芯片,所述电芯片设置在所述光芯片正面上方,且电连接所述第一布线层;盖板,所述盖板设置的所述光芯片的光互结构和凹槽的上方;塑封层,所述塑封层一体塑封所述光芯片的正面、电芯片和盖板;以及外接焊球,所述外接焊球设置在所述光芯片背面下方,且电连接所述第二布线层。

本发明授权一种带有光互连接口的光电芯片三维封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种带有光互连接口的光电芯片三维封装结构,包括:光芯片,所述光芯片的一端具有光互连结构和凹槽;导电通孔,所述导电通孔贯穿所述光芯片;第一布线层,所述第一布线层设置在所述光芯片的正面,且与所述导电通孔电连接;第二布线层,所述第二布线层设置在所述光芯片的背面,且与所述导电通孔电连接;电芯片,所述电芯片设置在所述光芯片正面上方,且电连接所述第一布线层;盖板,所述盖板设置在所述光芯片的光互连结构和凹槽的上方;塑封层,所述塑封层一体塑封所述光芯片的正面、电芯片和盖板;以及外接焊球,所述外接焊球设置在所述光芯片背面下方,且电连接所述第二布线层,其中所述盖板的一端从所述塑封层漏出,与所述光互连结构和所述凹槽一起构成中空的光耦合结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,其通讯地址为:214028 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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