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龙图腾网恭喜通用电气公司申请的专利用于碳化硅电荷平衡功率器件中的终端的系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113646897B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980091836.8，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权用于碳化硅电荷平衡功率器件中的终端的系统和方法是由斯蒂芬·戴利·阿瑟;列扎·甘迪;亚历山大·维克托罗维奇·博洛特尼科夫;戴维·阿兰·利林菲尔德;彼得·阿尔默恩·洛斯设计研发完成，并于2019-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于碳化硅电荷平衡功率器件中的终端的系统和方法在说明书摘要公布了：一种碳化硅SiC电荷平衡CB器件4包括CB层18A，该CB层包括第一外延epi层14A。第一epi层的有源区域6包括第一导电类型的第一掺杂浓度和第二导电类型的第一多个CB区34。第一epi层的终端区域10包括第一导电类型的最小epi掺杂浓度。SiC‑CB器件还包括器件层16，该器件层包括设置在CB层上的第二epi层14Z。第二epi层的有源区域6包括第一导电类型的第一掺杂浓度。器件层16的终端区域10包括第一导电类型的最小epi掺杂浓度和第二导电类型的第一多个浮空区68，该第一多个浮空区形成器件的结终端12Z。

本发明授权用于碳化硅电荷平衡功率器件中的终端的系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅SiC-电荷平衡CB器件4，包括：第一电荷平衡CB层18，所述第一电荷平衡CB层包括第一外延epi层14A，其中，所述第一外延epi层的有源区域6包括第一导电类型的第一掺杂浓度和第二导电类型的第一多个电荷平衡CB区34，并且其中，所述第一外延epi层的终端区域10包括所述第一导电类型的最小外延epi掺杂浓度；器件层16，所述器件层包括设置在所述第一电荷平衡CB层上的第二外延epi层14Z，其中，所述第二外延epi层的有源区域6包括所述第一导电类型的所述第一掺杂浓度，并且其中，所述器件层的终端区域10包括所述第一导电类型的所述最小外延epi掺杂浓度和所述第二导电类型的第一多个浮空区68，所述第一多个浮空区形成所述器件的第一结终端12Z，其中所述第一结终端包括结终端扩展JTE，所述结终端扩展JTE具有在所述第一外延epi层和所述第二外延epi层的组合厚度的1.5倍和5倍之间的宽度；以及所述第二导电类型的电荷平衡CB总线区38，其中，所述电荷平衡CB总线区在所述第一电荷平衡CB层的第一多个电荷平衡CB区中的某个电荷平衡CB区与所述器件层的具有所述第二导电类型的某个区之间延伸并且将所述第一电荷平衡CB层的所述第一多个电荷平衡CB区中的所述电荷平衡CB区电联接到所述器件层的具有所述第二导电类型的所述区。

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