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龙图腾网恭喜牛津大学科技创新有限公司申请的专利包括器件中间层的多结光电器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113424324B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980091222.X，技术领域涉及：H10K30/57；该发明授权包括器件中间层的多结光电器件是由亨利·詹姆斯·施耐德;苏哈斯·马赫什设计研发完成，并于2019-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括器件中间层的多结光电器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种多结器件，包括：a包括第一光活性材料层的第一光活性区，b包括第二光活性材料层的第二光活性区，和c设置在所述第一和第二光活性区之间的电荷复合层，所述电荷复合层包括电荷复合层材料，第一和第二光活性材料之一包括至少一种AMX材料；第一和第二光活性材料中的另一种包括至少一种AMX材料或除AMX材料以外的作为光活性半导体的化合物；各AMX材料是式I[A]a[M]b[X]c的结晶化合物，其中：[A]包括一种或多种A阳离子；[M]包括一种或多种M阳离子，其为金属或准金属阳离子；[X]包括一种或多种X阴离子；a是从1到6的数字；b是从1到6的数字；c是1到18的数字；电荷复合层材料在波长λ处具有至少为2的折射率ηλ，λ是从500nm到1200nm的波长。

本发明授权包括器件中间层的多结光电器件在权利要求书中公布了：1.一种多结器件，包括：a包括第一光活性材料层的第一光活性区，b包括第二光活性材料层的第二光活性区，和c设置在所述第一和第二光活性区之间的电荷复合层，其中，所述电荷复合层包括电荷复合层材料，其中，第一和第二光活性材料之一包括至少一种AMX材料；其中，第一和第二光活性材料中的另一种包括至少一种AMX材料或除AMX材料以外的作为光活性半导体的化合物；其中，各AMX材料是式I的结晶化合物，[A]a[M]b[X]cI其中：[A]包括一种或多种A阳离子；[M]包括一种或多种M阳离子，所述M阳离子为金属或准金属阳离子；[X]包括一种或多种X阴离子；a是从1到6的数字；b是从1到6的数字；c是从1到18的数字；其中，所述电荷复合层材料在波长λ处具有至少为2的折射率nλ，其中λ是从500nm到1200nm的波长，其中，各光活性区包括设置在电子传输层和空穴传输层之间的光活性材料层，并且各个电子传输层和空穴传输层不同于电荷复合层，以及其中，所述电荷复合层材料包括：aTiO2或金属掺杂的TiO2和b透明导电氧化物。

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