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龙图腾网恭喜夏泰鑫半导体(青岛)有限公司申请的专利半导体蚀刻设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111326444B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911241229.3，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权半导体蚀刻设备是由姜东勋设计研发完成，并于2019-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体蚀刻设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体蚀刻设备，包括处理室、载送机构、转移室、设备前端模块和前置装载室，所述处理室用于蚀刻半导体晶圆，转移室，设置在所述处理室与所述设备前端模块之间，所述前置装载室用于连接所述转移室和所述设备前端模块，载送机构用于载入或载出半导体晶圆，所述设备前端模块设置在所述载送机构与所述前置装载室之间；所述半导体蚀刻设备还包括清洁系统，所述设备前端模块设置于所述清洁系统和所述前置装载室之间；所述清洁系统包括可旋转平台和供液单元，所述旋转平台用于承载和旋转半导体晶圆，所述供液单元用于供应去离子水，配合所述旋转平台清洁半导体晶圆。

本发明授权半导体蚀刻设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体蚀刻设备，其特征在于，包括处理室，用于蚀刻半导体晶圆；载送机构，用于载入或载出所述半导体晶圆；设备前端模块，用于传送所述半导体晶圆；转移室，设置在所述处理室与所述设备前端模块之间，用于转移所述半导体晶圆；和前置装载室，用于连接所述转移室和所述设备前端模块，所述设备前端模块设置在所述载送机构与所述前置装载室之间；所述半导体蚀刻设备还包括清洁系统，所述清洁系统的内部气压低于所述设备前端模块的内部气压，所述清洁系统与所述设备前端模块连接，所述设备前端模块设置于所述清洁系统和所述前置装载室之间；所述清洁系统包括可旋转平台、供液单元、清洁室、存储槽和干燥装置，所述旋转平台用于承载和旋转所述半导体晶圆，所述供液单元包括两个供液管，所述两个供液管分别位于所述旋转平台的上端和下端，所述存储槽用于存储去离子水，所述两个供液管与所述存储槽连通，以获得所述去离子水，所述清洁室和所述设备前端模块连接，所述存储槽内的所述去离子水通过两个供液管流入所述清洁室，配合所述旋转平台从所述半导体晶圆的上表面和下表面进行清洗，所述干燥装置包括烘干单元，所述烘干单元设置在所述旋转平台的一侧，用于提供热风至所述旋转平台，用于消除所述半导体晶圆上残留的所述去离子水。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人夏泰鑫半导体(青岛)有限公司，其通讯地址为：266000 山东省青岛市黄岛区太白山路172号青岛中德生态园双创中心219室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。