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恭喜夏泰鑫半导体(青岛)有限公司姜东勋获国家专利权

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龙图腾网恭喜夏泰鑫半导体(青岛)有限公司申请的专利半导体蚀刻设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111326444B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201911241229.3,技术领域涉及:H01L21/67;该发明授权半导体蚀刻设备是由姜东勋设计研发完成,并于2019-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

半导体蚀刻设备在说明书摘要公布了:本发明提供一种半导体蚀刻设备,包括处理室、载送机构、转移室、设备前端模块和前置装载室,所述处理室用于蚀刻半导体晶圆,转移室,设置在所述处理室与所述设备前端模块之间,所述前置装载室用于连接所述转移室和所述设备前端模块,载送机构用于载入或载出半导体晶圆,所述设备前端模块设置在所述载送机构与所述前置装载室之间;所述半导体蚀刻设备还包括清洁系统,所述设备前端模块设置于所述清洁系统和所述前置装载室之间;所述清洁系统包括可旋转平台和供液单元,所述旋转平台用于承载和旋转半导体晶圆,所述供液单元用于供应去离子水,配合所述旋转平台清洁半导体晶圆。

本发明授权半导体蚀刻设备在权利要求书中公布了:1.一种半导体蚀刻设备,其特征在于,包括处理室,用于蚀刻半导体晶圆;载送机构,用于载入或载出所述半导体晶圆;设备前端模块,用于传送所述半导体晶圆;转移室,设置在所述处理室与所述设备前端模块之间,用于转移所述半导体晶圆;和前置装载室,用于连接所述转移室和所述设备前端模块,所述设备前端模块设置在所述载送机构与所述前置装载室之间;所述半导体蚀刻设备还包括清洁系统,所述清洁系统的内部气压低于所述设备前端模块的内部气压,所述清洁系统与所述设备前端模块连接,所述设备前端模块设置于所述清洁系统和所述前置装载室之间;所述清洁系统包括可旋转平台、供液单元、清洁室、存储槽和干燥装置,所述旋转平台用于承载和旋转所述半导体晶圆,所述供液单元包括两个供液管,所述两个供液管分别位于所述旋转平台的上端和下端,所述存储槽用于存储去离子水,所述两个供液管与所述存储槽连通,以获得所述去离子水,所述清洁室和所述设备前端模块连接,所述存储槽内的所述去离子水通过两个供液管流入所述清洁室,配合所述旋转平台从所述半导体晶圆的上表面和下表面进行清洗,所述干燥装置包括烘干单元,所述烘干单元设置在所述旋转平台的一侧,用于提供热风至所述旋转平台,用于消除所述半导体晶圆上残留的所述去离子水。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人夏泰鑫半导体(青岛)有限公司,其通讯地址为:266000 山东省青岛市黄岛区太白山路172号青岛中德生态园双创中心219室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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