恭喜英飞凌科技股份有限公司G·特罗斯卡获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜英飞凌科技股份有限公司申请的专利半导体衬底获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111146179B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911058290.4，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权半导体衬底是由G·特罗斯卡;H·哈通;M·诺曼设计研发完成，并于2019-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体衬底在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体衬底10，其包括电介质绝缘层110和附接到所述电介质绝缘层110的第一金属化层111。所述电介质绝缘层110包括具有处于25至180WmK之间的导热率和处于15至50kVmm之间的绝缘强度的第一材料40、和第二导电或半导电材料41，其中，所述第二材料41均匀分布在所述第一材料40内。
本发明授权半导体衬底在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体模块装置，包括半导体衬底10，所述半导体衬底10包括：电介质绝缘层110；以及附接到所述电介质绝缘层110的第一金属化层111；其中所述电介质绝缘层110包括具有处于25至180WmK之间的导热率和处于15至50kVmm之间的绝缘强度的第一材料40、和第二导电或半导电材料41，其中，所述第二导电或半导电材料41分布在所述第一材料40内，使得所述第二导电或半导电材料41在所述第一材料40内形成俘获中心，所述电介质绝缘层110中的所述第二导电或半导电材料41的量小于10％，所述第一材料40包括AlN和Si3N4中的一种，并且所述第二导电或半导电材料41包括ZrN。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英飞凌科技股份有限公司，其通讯地址为：德国瑙伊比贝尔格市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号