恭喜台湾积体电路制造股份有限公司罗元彦获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利制造半导体元件的方法、制造光掩模的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110970357B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910927026.3，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权制造半导体元件的方法、制造光掩模的方法是由罗元彦;张家诚;郭明誌;陈健源设计研发完成，并于2019-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体元件的方法、制造光掩模的方法在说明书摘要公布了：在一种制造半导体元件的方法中，制备初始连接图案；制备用于切割初始连接图案的初始切割图案；至少从初始连接图案识别非功能性连接图案；从初始切割图案和非功能性连接图案来制备最终切割图案；从最终切割图案制备光掩模；通过使用该光掩模的光微影操作在靶层上方形成光阻剂图案；通过使用光阻剂图案来图案化该靶层以在该靶层中形成开口；以及通过用导电材料填充开口来形成连接层。另亦提供一种制造光掩模的方法。
本发明授权制造半导体元件的方法、制造光掩模的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，该方法包括：制备多个初始连接图案；制备用于切割所述多个初始连接图案的多个初始切割图案；至少从所述多个初始连接图案识别多个非功能性连接图案；从所述多个初始切割图案和所述多个非功能性连接图案制备多个最终切割图案；从所述多个最终切割图案制备一光掩模；通过使用该光掩模的一光微影操作在一靶层上方形成一光阻剂图案；通过使用该光阻剂图案来图案化该靶层以在该靶层中形成多个开口；以及通过用一导电材料填充所述多个开口来形成多个连接层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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