恭喜三星电子株式会社黃昌善获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN110931499B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201910869142.4,技术领域涉及:H10B43/35;该发明授权半导体装置是由黃昌善;石韩松;姜炫求;权炳昊;闵忠基设计研发完成,并于2019-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了:公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括在基底上的堆叠结构。堆叠结构包括阶梯区域和位于阶梯区域之间的中心区域,上绝缘层位于堆叠结构上,覆盖绝缘层位于堆叠结构的阶梯区域上。覆盖绝缘层包括与上绝缘层相邻的第一上端部分和第二上端部分。上绝缘层位于第一上端部分和第二上端部分之间。第一上端部分相对于基底延伸第一高度,第一高度不同于第二上端部分的相对于基底的第二高度。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置,所述半导体装置包括:堆叠结构,位于基底上,所述堆叠结构包括阶梯区域以及位于所述阶梯区域之间的中心区域;上绝缘层,位于所述堆叠结构上;以及覆盖绝缘层,位于所述堆叠结构的所述阶梯区域上,其中,所述覆盖绝缘层包括与所述上绝缘层相邻并彼此相对的第一上端部分和第二上端部分,其中,所述上绝缘层位于所述第一上端部分和所述第二上端部分之间,并且其中,所述第一上端部分相对于所述基底延伸第一高度,所述第一高度不同于所述第二上端部分的相对于所述基底的第二高度。
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