恭喜国立大学法人东北大学冈田纯平获国家专利权
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龙图腾网恭喜国立大学法人东北大学申请的专利多孔非晶硅、多孔非晶硅的制造方法及二次电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112004777B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980017973.7，技术领域涉及：C01B33/02；该发明授权多孔非晶硅、多孔非晶硅的制造方法及二次电池是由冈田纯平;中山幸仁;和田武设计研发完成，并于2019-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本多孔非晶硅、多孔非晶硅的制造方法及二次电池在说明书摘要公布了：本发明提供一种在用作负极材料时能够提高充放电效率和电池容量等电池性能的多孔非晶硅、能够以较低成本并以短时间制造整体由非晶硅构成的多孔非晶硅的多孔非晶硅的制造方法、及将该多孔非晶硅用作负极材料的二次电池。通过以106K秒以上的冷却速度将包含金属与硅的熔体冷却，从而形成由该金属与硅构成的共晶合金，利用酸或碱选择性地使金属从共晶合金中溶出，由此得到多孔非晶硅。多孔非晶硅具有平均粒径或平均柱径为1nm～100nm的片层结构或柱状结构。
本发明授权多孔非晶硅、多孔非晶硅的制造方法及二次电池在权利要求书中公布了：1.一种多孔非晶硅，其特征在于，具有平均粒径为1nm～100nm的片层结构，具有所述片层结构连续的双连续结构，并且具有以非晶硅连续的三维网状结构且同时具有连续的空隙。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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