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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447504B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910800118.5，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权半导体结构及其形成方法是由郑二虎设计研发完成，并于2019-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成分立的核心层，其中，待去除的所述核心层作为伪核心层；在所述核心层的侧壁上形成牺牲侧墙；在所述牺牲侧墙的侧壁上形成掩膜侧墙；去除所述牺牲侧墙；去除所述牺牲侧墙后，去除所述伪核心层；以所述掩膜侧墙和剩余的核心层为掩膜，图形化所述基底。本发明实施例有利于降低去除所述伪核心层的工艺难度、增大去除伪核心层的工艺窗口。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成硬掩膜材料层；在基底上形成衬垫氧化层；在所述衬垫氧化层上形成研磨停止层；在所述研磨停止层上形成所述硬掩膜材料层；在所述基底上形成分立的核心层，所述核心层形成在硬掩膜材料层上，其中，待去除的所述核心层作为伪核心层，所述分立的核心层包括相邻两个伪核心层；在所述核心层的侧壁上形成牺牲侧墙；形成所述牺牲侧墙的步骤包括：形成保形覆盖核心层顶部和侧壁、以及硬掩膜材料层的第一侧墙膜；去除核心层顶部以及硬掩膜材料层顶部的第一侧墙膜，剩余第一侧墙膜用于作为牺牲侧墙；在所述牺牲侧墙的侧壁上形成掩膜侧墙，两个所述掩膜侧墙位于相邻的两个所述伪核心层之间，在所述牺牲侧墙的侧壁上形成所述掩膜侧墙的步骤中，待去除的所述掩膜侧墙作为伪掩膜侧墙，不同所述牺牲侧墙侧壁上的掩膜侧墙相间隔；形成掩膜侧墙的步骤包括：形成保形覆盖牺牲侧墙顶部和侧壁、核心层顶部、以及硬掩膜材料层顶部的第二侧墙膜；去除位于牺牲侧墙和核心层顶部、以及硬掩膜材料层顶部的第二侧墙膜，剩余第二侧墙膜用于作为掩膜侧墙；去除所述牺牲侧墙，去除牺牲侧墙后，基底上形成有分立的多组间隔排列的掩膜图形层，包括核心层和位于核心层两侧且与核心层间隔排列的掩膜侧墙；去除所述牺牲侧墙后，去除所述伪核心层；去除所述牺牲侧墙后，所述形成方法还包括：去除所述伪掩膜侧墙，去除所述伪掩膜侧墙的步骤中，去除至少相邻的两个所述伪掩膜侧墙；以剩余的掩膜侧墙和剩余的核心层为掩膜，图形化所述硬掩膜材料层、研磨停止层、衬垫氧化层以及基底，形成衬底、分立于所述衬底上的鳍部、位于鳍部顶部的衬垫氧化层、位于所述衬垫氧化层顶部的研磨停止层以及位于所述研磨停止层顶部的硬掩膜层。

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