恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈宪伟获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112086400B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910765121.8，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其制作方法是由陈宪伟;陈洁;陈明发;杨庆荣设计研发完成，并于2019-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开半导体封装及形成所述半导体封装的方法。所述方法中的一者包括以下步骤。提供第一管芯，其中所述第一管芯包括第一衬底、第一内连结构以及第一焊盘，所述第一内连结构位于所述第一衬底之上，所述第一焊盘设置在所述第一内连结构之上且电连接到所述第一内连结构。在所述第一管芯之上形成第一结合介电层以覆盖所述第一管芯。使用单镶嵌工艺形成穿透所述第一结合介电层的第一结合通孔以电连接所述第一内连结构。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体结构的方法，包括：提供第一管芯，其中所述第一管芯包括第一衬底、第一内连结构以及第一有效焊盘，所述第一内连结构位于所述第一衬底之上，所述第一有效焊盘设置在所述第一内连结构之上且电连接到所述第一内连结构；在所述第一管芯之上形成第一结合介电层，以覆盖所述第一管芯；形成穿透所述第一结合介电层的第一有效结合通孔，以电连接所述第一内连结构；以及在所述第一结合介电层中形成多个第一虚设结合通孔，其中所述第一虚设结合通孔环绕所述第一有效结合通孔且是电浮置的。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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