Document
拖动滑块完成拼图
个人中心

预订订单
服务订单
发布专利 发布成果 人才入驻 发布商标 发布需求

在线咨询

联系我们

龙图腾公众号
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
当前位置 : 首页 > 专利喜报 > 恭喜意法半导体(克洛尔2)公司D·里多获国家专利权

恭喜意法半导体(克洛尔2)公司D·里多获国家专利权

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

龙图腾网恭喜意法半导体(克洛尔2)公司申请的专利图像传感器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN110707112B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201910610889.8,技术领域涉及:H10F39/12;该发明授权图像传感器是由D·里多;A·克罗彻瑞设计研发完成,并于2019-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。

图像传感器在说明书摘要公布了:本申请涉及图像传感器。多光谱图像传感器包括半导体层和形成在半导体层内部和顶部的多个像素。每个像素包括形成在由外围绝缘壁横向限定的半导体层的部分中的有源光敏区域。像素包括第一类型的第一像素和第二类型的第二像素。第一像素的半导体层的部分具有第一横向尺寸,第一横向尺寸被选择为限定以第一波长谐振的横向腔,并且第二像素的半导体层的部分具有不同于第一横向尺寸的第二横向尺寸,第二横向尺寸被选择为限定在不同于第一波长的第二波长谐振的横向腔。

本发明授权图像传感器在权利要求书中公布了:1.一种多光谱图像传感器,包括:半导体层;和形成在所述半导体层的内部和顶部的多个像素,每个像素包括形成在由外围绝缘壁横向限定的半导体层的部分中的有源光敏区域,所述多个像素包括第一类型的第一像素和第二类型的第二像素,其中所述第一像素的半导体层的部分具有第一横向尺寸,所述第一横向尺寸被选择为限定以第一波长谐振的横向腔,并且其中所述第二像素的半导体层的部分具有不同于所述第一横向尺寸的第二横向尺寸,所述第二横向尺寸被选择为限定以不同于所述第一波长的第二波长谐振的横向腔。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(克洛尔2)公司,其通讯地址为:法国克洛尔;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。