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龙图腾网恭喜普列斯半导体有限公司申请的专利单片LED阵列及其前体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112470281B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980044914.9，技术领域涉及：H10H29/14；该发明授权单片LED阵列及其前体是由安德烈亚·皮诺斯;萨米尔·迈祖阿里设计研发完成，并于2019-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本单片LED阵列及其前体在说明书摘要公布了：本发明提供了一种单片LED阵列前体，包括：共享第一半导体层的多个LED结构，其中，第一半导体层限定LED阵列前体的平面，每个LED结构包括：i第一半导体层上的第二半导体层，该第二半导体层具有与LED阵列前体的平面平行的上表面部分，该第二半导体层具有与上表面部分垂直的规则梯形截面，使得第二半导体层具有倾斜侧面；ii第二半导体层上的第三半导体层，该第三半导体层具有与LED阵列前体的平面平行的上表面部分，该第三半导体层具有与上表面部分垂直的规则梯形截面，使得第三半导体层具有与第二半导体层的倾斜侧面平行的倾斜侧面；iii第三半导体层上的第四半导体层，该第四半导体层具有与LED阵列前体的平面平行的上表面部分，该第四半导体层具有与上表面部分垂直的规则梯形截面，使得第四半导体层具有与第三半导体层的倾斜侧面平行的倾斜侧面；以及iv第四半导体层上的主电触点，其中，触点仅在第四半导体层的与LED阵列前体的平面平行的上表面部分上，其中，第三半导体层包括多个量子阱子层，该量子阱子层的与LED阵列前体的平面平行的部分具有更大的厚度，与LED阵列前体的平面不平行的部分具有减小的厚度。

本发明授权单片LED阵列及其前体在权利要求书中公布了：1.一种单片LED阵列前体，包括：多个LED结构，共享第一半导体层，其中，所述第一半导体层限定所述LED阵列前体的平面，每个LED结构包括：i第二半导体层，在所述第一半导体层上，所述第二半导体层具有与所述LED阵列前体的所述平面平行的上表面部分，所述第二半导体层具有与所述上表面部分垂直的规则梯形截面，使得所述第二半导体层具有倾斜侧面；ii第三半导体层，在所述第二半导体层上，所述第三半导体层具有与所述LED阵列前体的所述平面平行的上表面部分，其中，所述第三半导体层和所述第二半导体层形成具有与所述上表面部分垂直的规则梯形截面的结构，使得所述第三半导体层具有与所述第二半导体层的所述倾斜侧面平行的倾斜侧面；iii第四半导体层，在所述第三半导体层上，所述第四半导体层具有与所述LED阵列前体的所述平面平行的上表面部分，其中，所述第四半导体层、所述第三半导体层和所述第二半导体层形成具有与所述上表面部分垂直的规则梯形截面的结构，使得所述第四半导体层具有与所述第三半导体层的所述倾斜侧面平行的倾斜侧面；以及iv主电触点，在所述第四半导体层上，其中，所述触点仅在所述第四半导体层的与所述LED阵列前体的所述平面平行的所述上表面部分上；其中，所述第三半导体层包括多个量子阱子层，所述量子阱子层的与所述LED阵列前体的所述平面平行的部分具有更大的厚度，并且与所述LED阵列前体的所述平面不平行的部分具有减小的厚度。

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