半导体组件工业公司李元华获国家专利权
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龙图腾网获悉半导体组件工业公司申请的专利功率半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110610981B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910512107.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权功率半导体器件及其形成方法是由李元华;G·H·勒歇尔特设计研发完成，并于2019-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种功率半导体器件及其形成方法。所述功率半导体器件包括具有第一导电类型的半导体层。沟槽限定在所述半导体层内，所述沟槽具有开口、侧壁和基部。柱设在所述沟槽下方，并且具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型。金属层设在所述沟槽的所述侧壁上方，所述金属层在所述沟槽的所述侧壁处接触所述半导体层以形成肖特基二极管的肖特基界面。第一电极设在所述半导体层的第一侧上方。第二电极设在所述半导体层的第二侧上方。
本发明授权功率半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，包括：半导体层，所述半导体层具有第一导电类型；沟槽，所述沟槽限定在所述半导体层内，所述沟槽具有开口、侧壁和基部；柱，所述柱设在所述沟槽下方，并且具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；阱，所述阱具有所述第二导电类型，并且设在所述柱上方并与所述柱间隔开；增强区，所述增强区在所述半导体层内并在所述阱与所述柱之间并且具有所述第一导电类型；金属层，所述金属层设在所述沟槽的所述侧壁上方，所述金属层在间隙处接触所述半导体层以形成肖特基二极管的肖特基界面，所述间隙限定所述阱与所述柱之间的距离；第一电极，所述第一电极设在所述半导体层的第一侧上方；和第二电极，所述第二电极设在所述半导体层的第二侧上方。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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