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龙图腾网恭喜信越化学工业株式会社申请的专利GaN层叠基板的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112262456B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980038692.X，技术领域涉及：H01L21/205；该发明授权GaN层叠基板的制造方法是由关山有郎;久保田芳宏设计研发完成，并于2019-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本GaN层叠基板的制造方法在说明书摘要公布了：本发明为GaN层叠基板的制造方法，其具有：进行偏离角度0.5～5度的C面蓝宝石基板11的800～1000℃下的高温氮化处理以对所述C面蓝宝石基板进行表面处理的工序；在所述表面处理过的C面蓝宝石基板11的表面上使GaN外延生长以制作表面包含N极性面的GaN膜负载体的工序；对所述GaN膜13进行离子注入以形成离子注入区域13离子的工序；将所述经离子注入的GaN膜负载体的GaN膜侧表面与支承基板12贴合并接合的工序；和在所述GaN膜13中的离子注入区域13离子使其剥离以将GaN薄膜13a在支承基板12上转印、得到在支承基板12上具有表面包含Ga极性面的GaN薄膜13a的GaN层叠基板10的工序，通过一次的转印工艺就得到以Ga面为表面的结晶性良好的GaN层叠基板。

本发明授权GaN层叠基板的制造方法在权利要求书中公布了：1.GaN层叠基板的制造方法，其具有：进行偏离角度0.5～5度的C面蓝宝石基板的800～1000℃下的高温氮化处理和或在该C面蓝宝石基板上的结晶性AlN的沉积处理以对所述C面蓝宝石基板进行表面处理的工序；在所述表面处理过的C面蓝宝石基板的表面上使GaN外延生长以形成表面包含N极性面的GaN膜，制作GaN膜负载体的工序；对所述GaN膜负载体的GaN膜进行离子注入以形成离子注入区域的工序；将所述经离子注入的GaN膜负载体的GaN膜侧表面与支承基板贴合并接合的工序；和在所述GaN膜中的离子注入区域使其剥离以将GaN薄膜在支承基板上转印、得到在支承基板上具有表面包含Ga极性面的GaN薄膜的GaN层叠基板的工序。

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