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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利电子装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110931442B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910115893.7，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权电子装置及其制造方法是由蔡宗甫;黄厚儒;林士庭;卢思维;蔡鸿伟设计研发完成，并于2019-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本电子装置及其制造方法在说明书摘要公布了：提供一种电子装置及其制造方法。电子装置包括半导体管芯、与半导体管芯电耦接的导电结构、包封半导体管芯和导电结构的绝缘包封件以及设置在绝缘包封件上和半导体管芯的重布线结构。导电结构包括第一导体、第二导体和在第一导体与第二导体之间的扩散阻挡层。重布线结构电连接到半导体管芯和导电结构的第一导体。

本发明授权电子装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电子装置，包括：半导体管芯；导电结构，电耦接到所述半导体管芯并包括：第一导体；第二导体；以及扩散阻挡层，在所述第一导体与所述第二导体之间；绝缘包封件，包封所述半导体管芯和所述导电结构；重布线结构，设置在所述绝缘包封件和所述半导体管芯上，并且所述重布线结构电连接到所述半导体管芯和所述导电结构的所述第一导体；以及半导体封装件，设置在所述导电结构和所述半导体管芯之上，其中所述半导体封装件的导电凸块与所述导电结构的所述第二导体结合成连续接点，所述连续接点包括被所述绝缘包封件覆盖的基本竖直侧壁和连接到所述基本竖直侧壁的弯曲侧壁，并且具有所述基本竖直侧壁的所述连续接点的第一部分的第一直立高度与具有所述弯曲侧壁的所述连续接点的第二部分的第二直立高度的比例范围为0.4至1.5。

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