恭喜三星电子株式会社金载春获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利热辐射装置、包括其的半导体封装件和半导体装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN110277361B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201910113884.4,技术领域涉及:H01L23/38;该发明授权热辐射装置、包括其的半导体封装件和半导体装置是由金载春;金荣得;玄荣勋设计研发完成,并于2019-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本热辐射装置、包括其的半导体封装件和半导体装置在说明书摘要公布了:提供了一种热辐射装置、包括其的半导体封装件和半导体装置。热辐射装置包括半导体基板。第一电极设置在半导体基板上。第二电极设置在半导体基板上并与第一电极间隔开。第一贯穿电极设置在半导体基板中。第一贯穿电极电连接到第一电极。
本发明授权热辐射装置、包括其的半导体封装件和半导体装置在权利要求书中公布了:1.一种热辐射装置,所述热辐射装置包括:半导体基板;设置在所述半导体基板上的第一电极;设置在所述半导体基板上并与所述第一电极间隔开的第二电极;以及设置在所述半导体基板中的第一贯穿电极,所述第一贯穿电极电连接到所述第一电极,其中,所述第二电极在平面图中具有封闭的框架形状,并且所述第一电极设置在所述第二电极的封闭的框架形状内,并且其中,所述第一电极和所述第二电极共享一平面,并且在共享的平面内,所述第一电极未电连接到所述第二电极。
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