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龙图腾网恭喜南昌凯迅光电股份有限公司申请的专利一种抗辐照增强型空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109545898B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811421360.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种抗辐照增强型空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法是由万智;徐培强;林晓珊;张银桥;汪洋;王向武设计研发完成，并于2018-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗辐照增强型空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抗辐照增强型空间GaInPGaInAsGe电池外延片的制造方法。为了提高GaInPGaInAsGe太阳能电池的抗辐照能力，目前常采用技术主要是将顶电池GaInP的厚度减薄，使电池变成顶电池限流，使辐照后中电池电流的衰减不引起整个电流的变化；另外在中电池中增加分布式布拉格反射器DBR结构、减薄中电池GaInAs的厚度，使的中电池GaInAs抗辐照能力增强。本发明公开了一种抗辐照增强型空间GaInPGaInAsGe电池外延片的制造方法，与常规空间GaInPInGaAsGe电池结构相比，采用本发明技术方案的产品结构在常规GaInPInGaAsGe电池中电池窗口层上沉积一定厚度、高掺杂的阻隔层材料AlGaAs，通过使中电池厚度增加，使得辐射通量更小的较高能量的质子停留在中电池基区，使得中电池的累积损伤更小，从而提高了电池的抗辐射能力。

本发明授权一种抗辐照增强型空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种抗辐照增强型空间GaInPGaInAsGe电池外延片的制造方法，其特征在于：在中电池窗口层上沉积2μm厚的AlGaAs阻隔层，具体步骤如下：提供一p-Ge衬底，运用金属有机化合物化学气相沉淀设备技术MetalOrganicChemicalVaporDeposition，MOCVD，在p-Ge衬底上依次外延沉积-AlGaInP成核层，n-GaAs-GaInAs缓冲层，n++-GaAsp++-GaAs隧穿结层，p-AlGaAsp-AlGaInAsDBR反射层，p-GaInP背场层，p-GaInAs基区层，n-GaInAs发射区层，n-AlInP窗口层，n-AlGaAs阻隔层，n++-GaInPp++-AlGaAs隧穿结层，p-AlGaInP背场层，p-GaInP基区层，n-GaInP发射区层，n-AlInP窗口层和n+-GaAs欧姆接触层；在中电池窗口层上沉积AlGaAs阻隔层，MOCVD反应室温度650℃，压力50mbar，沉积厚度为2μm，掺杂源SiH4、掺杂浓度为1×1018cm-3。

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