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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110034094B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811360494.9，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权半导体装置是由李基硕;金奉秀;金志永;韩成熙;黄有商设计研发完成，并于2018-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置，包括多个导电结构，所述多个导电结构被布置在衬底上，并且在实质上垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔开，其中多个导电结构中的每一个在第一方向上延伸。多个接触结构按照交替布置的方式被布置在导电结构之间，并且在第一方向上彼此间隔开。多个绝缘结构被布置在导电结构和接触结构之间的空间中。多个空气间隔件分别被布置在交替布置的多个导电结构和多个接触结构之间，并且在第一方向上彼此间隔开。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括：多个导电结构，其被布置在衬底上，并且在实质上垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔开，所述多个导电结构中的每一个在所述第一方向上延伸；多个接触结构，其按照交替布置的方式被布置在所述导电结构之间，并且在第一方向上彼此间隔开；多个绝缘结构，所述绝缘结构中的每一个被布置在交替布置的所述导电结构和所述接触结构之间的空间中；以及间隔件，其被分别布置在交替布置的所述导电结构与所述接触结构之间，并且所述间隔件在所述第一方向上通过所述绝缘结构彼此间隔开,其中，所述间隔件包括空气间隔件,并且所述空气间隔件被成对地分别布置在所述导电结构的相对的侧壁上，并且其中，所述多个绝缘结构的每个绝缘结构包括位于其中的空气间隙。

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