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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利制造半导体封装结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109755141B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810523342.X，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权制造半导体封装结构的方法是由陈怡秀;余振华;陈明发;邱文智设计研发完成，并于2018-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本制造半导体封装结构的方法在说明书摘要公布了：一种制造半导体封装结构的方法包括以下步骤。将管芯接合到晶片。在晶片及管芯上形成介电材料层。介电材料层覆盖管芯的顶表面及侧壁。执行至少一个平坦化工艺来移除介电材料层的一部分及管芯的一部分，以暴露出管芯的顶表面并形成位于管芯侧边的介电层。介电层环绕且覆盖管芯的侧壁。

本发明授权制造半导体封装结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体封装结构的方法，其特征在于，包括：将多个第一管芯电性接合到晶片，其中所述晶片是半导体晶片，且具有形成于其中的多个装置，所述晶片包括具有多个管芯区的连续半导体衬底，且所述晶片包括嵌置于所述晶片的所述多个管芯区内的多个第二管芯，所述多个第二管芯电性连接至所述多个第一管芯，其中所述多个第一管芯是彼此分开的分立的管芯，且所述多个第二管芯彼此连接且嵌置于所述晶片中；在所述晶片及所述多个第一管芯上形成介电材料层，其中所述介电材料层覆盖所述多个第一管芯的顶表面及侧壁；以及执行至少一个平坦化工艺，以移除所述介电材料层的一部分及所述多个第一管芯的一些部分，使得所述多个第一管芯的所述顶表面暴露出来，并形成位于所述多个第一管芯侧边的介电层，其中所述介电层环绕且覆盖所述多个第一管芯的所述侧壁。

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