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龙图腾网恭喜日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体装置封装及制造其的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110294452B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810444637.8，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权半导体装置封装及制造其的方法是由张永兴;陈俊雄;陈永琦设计研发完成，并于2018-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置封装及制造其的方法在说明书摘要公布了：一种半导体装置封装，其包含：载体；第一半导体装置，其安置于所述载体上；第二半导体装置，其安置于所述第一半导体装置上；导线，其将所述第一半导体装置电连接到所述载体；和包封物，其包封所述第一半导体装置、所述第二半导体装置和所述导线。所述第二半导体装置限定空穴。所述包封物暴露所述空穴。所述导线的顶点比所述第二半导体装置的表面低第一距离s。所述导线的所述顶点与所述包封物的第一表面间隔第二距离t。所述包封物的第一表面比所述第二半导体装置的表面低第三距离D。所述第三距离小于或等于所述第一距离与所述第二距离之间的差值。

本发明授权半导体装置封装及制造其的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置封装，其包括：载体；第一半导体装置，其安置于所述载体上；第二半导体装置，其安置于所述第一半导体装置上且具有顶表面，所述第二半导体装置限定空穴，所述第二半导体装置的所述顶表面为主动面且为所述半导体装置封装的最外侧表面；导线，其将所述第一半导体装置电连接到所述载体；和包封物，其包封所述第一半导体装置、所述第二半导体装置和所述导线，所述包封物具有第一表面且暴露所述第二半导体装置的所述空穴，其中所述导线的顶点比所述第二半导体装置的所述顶表面低第一距离，所述导线的所述顶点与所述包封物的所述第一表面间隔第二距离，且所述包封物的所述第一表面比所述第二半导体装置的所述顶表面低第三距离，且其中所述第三距离小于或等于所述第一距离与所述第二距离之间的差值，其中所述第二半导体装置具有实质上垂直于所述第二半导体装置的所述顶表面的侧壁，其中所述包封物包括相对于所述第二半导体装置的所述侧壁倾斜的倾斜部分，且所述第二半导体装置的所述侧壁的一部分从所述包封物的所述倾斜部分中暴露，且其中所述包封物的所述倾斜部分在所述载体上的投影面积与所述第二半导体装置在所述载体上的投影面积不重叠。

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