恭喜株式会社半导体能源研究所门马洋平获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社半导体能源研究所申请的专利正极活性物质的制造方法以及二次电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110603673B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880029345.6，技术领域涉及：H01M4/525；该发明授权正极活性物质的制造方法以及二次电池是由门马洋平;三上真弓;内田彩;町川一仁设计研发完成，并于2018-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本正极活性物质的制造方法以及二次电池在说明书摘要公布了：提供一种能够提高二次电池的循环特性的正极活性物质及其制造方法。通过利用喷雾干燥处理使用石墨烯化合物将固体电解质附着于锂化合物，将由加热处理使碳从石墨烯化合物挥发而成的正极活性物质作为正极使用，可以抑制在制造二次电池时接触于正极活性物质的电解液的分解且提高二次电池的循环特性。
本发明授权正极活性物质的制造方法以及二次电池在权利要求书中公布了：1.一种正极活性物质粒子的制造方法，包括如下步骤：将包括包含锂、过渡金属元素、镁、氟及氧的锂化合物粒子、氧化石墨烯、固体电解质以及溶剂的悬浮液喷雾；以及通过热处理将在表面中包含的碳替换为碳酸气体而挥发，其中，在所述热处理后，所述锂化合物粒子的表面中的所述镁和所述氟的浓度增加。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社半导体能源研究所，其通讯地址为：日本神奈川县厚木市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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