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龙图腾网恭喜国立大学法人东海国立大学机构;国立大学法人大阪大学;日亚化学工业株式会社申请的专利半导体纳米粒子及其制造方法、以及发光器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115717065B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211303175.0，技术领域涉及：C09K11/02；该发明授权半导体纳米粒子及其制造方法、以及发光器件是由鸟本司;龟山达矢;岸茉莉乃;宫前千惠;桑畑进;上松太郎;小谷松大祐;仁木健太设计研发完成，并于2018-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体纳米粒子及其制造方法、以及发光器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体纳米粒子，其显示频带边缘发光，并且具有短波长的发光峰值波长。半导体纳米粒子包含Ag、In、Ga及S，Ga的原子数相对于In和Ga的总原子数之比为0.95以下。另外，半导体纳米粒子发出在500nm以上且不足590nm的范围内具有发光峰值波长、且发光峰的半值宽度为70nm以下的光，其平均粒径为10nm以下。

本发明授权半导体纳米粒子及其制造方法、以及发光器件在权利要求书中公布了：1.一种纳米粒子，其由半导体纳米粒子和在所述半导体纳米粒子的表面形成的半导体层构成，所述半导体纳米粒子包含Ag、In、Ga及S，Ga的原子数相对于所述In和Ga的原子数的合计之比为0.2以上且0.9以下，Ag的原子数相对于所述Ag、In和Ga的原子数的合计之比为0.05以上且0.55以下，S的原子数相对于所述Ag、In和Ga的原子数的合计之比为0.6以上且1.6以下，所述半导体层包含与所述半导体纳米粒子相比带隙能量大的半导体材料，所述半导体层的带隙能量为2.5eV以上且5.0eV以下，所述半导体材料包含第13族元素和第16族元素，所述第13族元素选自B、Al、Ga、In、Tl，所述第16族元素选自O、S、Se、Te，所述纳米粒子的发光峰的半值宽度为70nm以下。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人国立大学法人东海国立大学机构;国立大学法人大阪大学;日亚化学工业株式会社，其通讯地址为：日本爱知县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。