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龙图腾网恭喜安徽大学申请的专利一种减小位线耦合电容影响的DRAM阵列电路及模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119360924B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411958430.4，技术领域涉及：G11C16/24；该发明授权一种减小位线耦合电容影响的DRAM阵列电路及模块是由蔺智挺;吕婧;戴成虎;彭春雨;卢文娟;刘玉;李鑫;吴秀龙设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种减小位线耦合电容影响的DRAM阵列电路及模块在说明书摘要公布了：本发明涉及DRAM电路设计技术领域，具体涉及一种减小位线耦合电容影响的DRAM阵列电路及模块。本发明包括：目标阵列、参考阵列、奇行灵敏放大器SAk、偶行灵敏放大器SAj、奇行预充电路PREk、奇行开关Sbl,k、奇行开关Sblb,k。本发明将DRAM阵列电路的位线按照奇偶行进行划分，通过对奇行位线增设额外的预充电路、并配合奇行位线与奇行灵敏放大器进行接通或断开，实现奇偶读取；本发明的奇偶读取相较于传统DRAM阵列读取，能够大幅度降低DRAM阵列耦合电容的影响，显著提升DRAM阵列读取结果准确率。本发明解决了传统DRAM阵列电路进行读取时受位线耦合电容影响大的问题。

本发明授权一种减小位线耦合电容影响的DRAM阵列电路及模块在权利要求书中公布了：1.一种减小位线耦合电容影响的DRAM阵列电路，其包括：目标阵列、参考阵列；目标阵列包括N行M列分布的DRAM目标存储单元；N为偶数；在目标阵列中，第n行共用位线BLn、第m列共用字线WLm，位线BLp、BLp+1之间存在耦合电容Cc1,p；n∈[1,N]，m∈[1,M]；p∈[1,N-1]；参考阵列包括N行M列分布的DRAM参考存储单元；在参考阵列中，第n行共用位线BLBn、第m列共用字线WLBm，BLBp、BLBp+1之间存在耦合电容Cc2,p；其特征在于，其还包括：偶行灵敏放大器SAj、奇行灵敏放大器SAk、奇行预充电路PREk、奇行开关Sbl,k、奇行开关Sblb,k；其中，k表示奇数，k∈[1,3,…,N-1]；j表示偶数，j∈[2,4,…,N];SAj与BLj、BLBj连接，用于放大位线BLj、BLBj的电压差；Sbl,k用于控制BLk与SAk接通或断开；Sblb,k用于控制BLBk与SAk接通或断开；SAk用于在接通BLk、BLBk时放大位线BLk、BLBk的电压差；PREk用于对BLk、BLBk进行预充。

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