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龙图腾网恭喜上海功成半导体科技有限公司申请的专利基于PMOS管的IGBT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119361443B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411907070.5，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权基于PMOS管的IGBT器件及其制备方法是由侯晓伟;罗杰馨;柴展设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于PMOS管的IGBT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于PMOS管的IGBT器件及其制备方法，方法包括以下步骤：提供一封装框架；将IGBT芯片通过DAF工艺复合到所述封装框架上；S3.在IGBT芯片表面涂胶；将PMOS晶圆通过DAF工艺复合到IGBT芯片上；将PMOS漏极与IGBT门极进行键合，将PMOS门极、IGBT发射极、PMOS源极与封装框架的各个引脚分别进行键合；其中，与PMOS源极键合的所述封装框架的引脚被构造为适于与IGBT器件的驱动IC相连接。基于PMOS管的IGBT器件由上述方法制备而成。有效降低了IGBT启动时的瞬态电流变化，减少EMI。

本发明授权基于PMOS管的IGBT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于PMOS管的IGBT器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.提供一封装框架；S2.将IGBT芯片通过DAF工艺复合到所述封装框架上；S3.在IGBT芯片表面涂胶；S4.将PMOS晶圆通过DAF工艺复合到IGBT芯片上；S5.将PMOS漏极与IGBT门极进行键合，将PMOS门极、IGBT发射极、PMOS源极与封装框架的各个引脚分别进行键合；其中，与PMOS源极键合的所述封装框架的引脚被构造为适于与IGBT器件的驱动IC相连接。

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