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龙图腾网恭喜北京昕感科技有限责任公司申请的专利一种具有双栅极沟槽的SiC MOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222602900U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423179215.2，技术领域涉及：H10D64/27；该实用新型一种具有双栅极沟槽的SiC MOSFET器件是由马鸿铭;钟炜;王哲设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有双栅极沟槽的SiC MOSFET器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种具有双栅极沟槽的SiCMOSFET器件，属于半导体技术领域。上述器件包括有源区和终端区。有源区内设置第一栅极沟槽和第二栅极沟槽，第一栅极沟槽下方具有P型基区，侧壁和底部覆盖栅氧化层，内部填充多晶硅电极并填充层间介质；第二栅极沟槽下方设置P型保护区，其侧壁和底部同样覆盖栅氧化层并填充多晶硅电极。第一栅极沟槽和第二栅极沟槽之间设有N+型源区和贯穿其的P+型源区，源区表面形成源极欧姆接触电极。通过双栅极沟槽结构及掺杂设计的优化，本实用新型实现了栅氧化层的高可靠性、电场分布的均匀性以及优异的导通性能，适用于高功率密度场合。

本实用新型一种具有双栅极沟槽的SiC MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种具有双栅极沟槽的SiCMOSFET器件，包括有源区和终端区，所述有源区和终端区具有SiC衬底（1）以及位于所述SiC衬底（1）上的漂移层（2），所述有源区包括多个元胞结构，其特征在于：所述元胞结构具有第一栅极沟槽A和第二栅极沟槽B；所述第一栅极沟槽A下方具有P型基区（5），其侧壁和与底部两端区域中具有栅氧化层（6），在底部两端区域中的栅氧化层（6）上具有多晶硅电极（7），在所述多晶硅电极（7）之间的第一栅极沟槽A中填充有层间介质（8）；所述第二栅极沟槽B下方具有一层P型保护区（10），第二栅极沟槽B侧壁和底部具有一层栅氧化层（6），所述第二栅极沟槽B内部具有多晶硅电极（7）；在所述第一栅极沟槽A和第二栅极沟槽B之间具有P型基区（5）、N+型源区（3）和P+型源区（4），所述N+型源区（3）位于所述P型基区（5）上方，所述P+型源区（4）贯穿所述P型基区（5）和N+型源区（3）并向所述漂移层（2）内延伸；所述P+型源区（4）表面与所述N+型源区（3）平齐，在所述P+型源区（4）上具有源极欧姆接触电极（9）；所述P型基区（5）包裹所述第一栅极沟槽A的底部拐角；所述终端区具有残留的P+型源区以及与所述第一栅极沟槽A同时刻蚀形成的刻蚀区，所述残留的P+型源区深度为P+型源区的注入结深减去所述第一栅极沟槽A的深度，在所述刻蚀区内部具有P型基区；在所述SiC衬底（1）背面具有漏极欧姆接触电极（11），在所述元胞结构上进一步具有一层正面金属（12）。

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