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龙图腾网恭喜深圳云潼微电子科技有限公司;重庆云潼科技有限公司申请的专利一种屏蔽栅沟槽MOS器件及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317170B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411842764.5，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种屏蔽栅沟槽MOS器件及制作方法是由肖月桃;张伟;田甜;廖光朝设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种屏蔽栅沟槽MOS器件及制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种屏蔽栅沟槽MOS器件，该器件包括：衬底，外延层，位于外延层中的沟槽，位于沟槽内的第一层间介质层、第二层间介质层、栅氧化层、第一屏蔽栅场氧化层和第二屏蔽栅场氧化层，以及位于沟槽中的控制栅、第一屏蔽栅和第二屏蔽栅；控制栅、第一屏蔽栅和第二屏蔽栅呈上下结构；第二屏蔽栅位于第一屏蔽栅和控制栅之间；第一层间介质层位于第一屏蔽栅和第二屏蔽栅之间；第二层间介质层位于第二屏蔽栅和控制栅之间；栅氧化层位于控制栅和沟槽内壁之间；第一屏蔽栅场氧化层位于第一屏蔽栅与沟槽内壁之间；第二屏蔽栅场氧化层位于第二屏蔽栅与沟槽内壁之间。该器件减小栅漏电容、增大栅源电容，改善EMI性能。

本发明授权一种屏蔽栅沟槽MOS器件及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅沟槽MOS器件，其特征在于，包括：衬底，位于所述衬底之上的第一导电类型的外延层，位于所述外延层中的沟槽，位于所述沟槽内的第一层间介质层、第二层间介质层、栅氧化层、第一屏蔽栅场氧化层和第二屏蔽栅场氧化层，以及位于所述沟槽中的控制栅和两个屏蔽栅，所述两个屏蔽栅分别为第一屏蔽栅和第二屏蔽栅；所述第一屏蔽栅位于所述沟槽内的底部；所述第二屏蔽栅位于所述第一屏蔽栅之上，且位于所述控制栅之下；所述控制栅位于所述沟槽中的顶部，且位于所述第二屏蔽栅之上；所述第一层间介质层填充在所述第一屏蔽栅和所述第二屏蔽栅之间；所述第二层间介质层填充在所述第二屏蔽栅和所述控制栅之间；所述栅氧化层填充在所述控制栅和所述沟槽内的侧壁之间；所述第一屏蔽栅场氧化层填充在所述第一屏蔽栅与所述沟槽内的侧壁和底壁之间；所述第二屏蔽栅场氧化层填充在所述第二屏蔽栅与所述沟槽内的侧壁之间；所述第一屏蔽栅场氧化层的横向宽度大于所述第二屏蔽栅场氧化层的横向宽度，所述第二屏蔽栅场氧化层的横向宽度大于所述栅氧化层的横向宽度；所述第一层间介质层的纵向厚度与所述栅氧化层的横向宽度一致。

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