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龙图腾网恭喜中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利一种超表面刻蚀工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119270579B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411817544.7，技术领域涉及：G03F1/80；该发明授权一种超表面刻蚀工艺方法是由韩业明;穆全全;王承邈;姚路;林雨;李博文设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超表面刻蚀工艺方法在说明书摘要公布了：本发明涉及微纳光学技术领域，尤其涉及一种超表面刻蚀工艺方法，工艺方法包括：将超表面曝光版图根据线宽尺寸的不同分为多个线宽尺寸版图；针对带有套刻标记的不同线宽尺寸版图分别通过光刻工艺完成图形化；将图形化的结构转移至目标材料，刻蚀达到设计的刻蚀深度；之后通过分图层多次套刻曝光刻蚀，将不同的线宽尺寸版图分解为不同的图层分别曝光刻蚀，根据线宽尺寸设置不同的刻蚀速率及时间，使最终的刻蚀深度一致；提高超表面的加工精度，保证超表面器件性能与设计指标的一致性。

本发明授权一种超表面刻蚀工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种超表面刻蚀工艺方法，其特征在于：所述超表面刻蚀工艺方法用于对超表面结构进行刻蚀，所述超表面刻蚀工艺方法包括步骤：S1.将超表面曝光版图根据线宽尺寸的不同分为多个线宽尺寸版图，所述多个线宽尺寸版图至少包括第一线宽尺寸版图、第二线宽尺寸版图直到第N线宽尺寸版图；N为大于等于2的任意自然数；S2.在基底表面制备超构透镜结构材料膜层，在所述超构透镜结构材料膜层表面涂覆光刻胶；所述基底的材料与所述超表面结构的材料不一致；S3.将带有套刻标记的第一线宽尺寸版图进行图形化，形成第一线宽尺寸版图光刻胶掩膜；S4.通过刻蚀工艺将所述第一线宽尺寸版图的图形转移至所述基底上的超构透镜结构材料膜层上，达到设计刻蚀深度；S5.对准预留的所述套刻标记，将所述第二线宽尺寸版图进行图形化，形成第二线宽尺寸版图光刻胶掩膜；S6.通过刻蚀工艺将所述第二线宽尺寸版图的图形转移至所述基底上的超构透镜结构材料膜层上，达到所述设计刻蚀深度；S7.针对所述多个线宽尺寸版图中的所述第N线宽尺寸版图，分别重复步骤S5和S6，直至所述多个线宽尺寸版图均在基底上达到所述设计刻蚀深度，得到超构透镜各个线宽版图的相同高度结构。

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