恭喜季华实验室兰潇健获国家专利权
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龙图腾网恭喜季华实验室申请的专利一种单光子雪崩二极管及制备方法、电子元件、检测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317205B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411805662.6，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权一种单光子雪崩二极管及制备方法、电子元件、检测器是由兰潇健;马四光;刘超晖;马静设计研发完成，并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单光子雪崩二极管及制备方法、电子元件、检测器在说明书摘要公布了：本申请属于雪崩二极管领域，具体公开了一种单光子雪崩二极管及制备方法、电子元件、检测器。本申请提出了一种具有浓度变化的P掺杂阱，并配合该P掺杂阱制得了具有曲面结结构的单光子雪崩二极管，该单光子雪崩二极管还可以用于制备电子元件及检测器。本申请所提供的单光子雪崩二极管能够显著提高光生载流子向雪崩区域汇集的概率，并最终提高探测效率；同时利用P掺杂阱区域载流子的扩散运动，降低载流子向雪崩区域运动的时间，减小同等光敏区厚度下的时间抖动。
本发明授权一种单光子雪崩二极管及制备方法、电子元件、检测器在权利要求书中公布了：1.一种单光子雪崩二极管，其特征在于，包括：P型外延层，N+层、NGR层、Pburied层、P掺杂阱；所述P型外延层的光线入射侧设有所述P掺杂阱，所述P掺杂阱中的掺杂浓度沿着远离所述P型外延层的方向递增；以所述P掺杂阱与所述P型外延层的结合面为零点，在远离P型外延层的方向上，在7μm-12μm时，掺杂浓度的范围在-1.040×1020cm-3到-1.710×1014cm-3之间，掺杂浓度表示为负数时，代表P掺杂；所述P型外延层的出光侧设有所述N+层，所述N+层与所述P型外延层之间设有所述Pburied层，所述N+层外环绕有所述NGR层。
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