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龙图腾网恭喜英诺赛科(珠海)科技有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300399B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411783735.6，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由孙涛设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，半导体器件包括衬底；半导体外延层，位于衬底的一侧；栅极结构，包括依次层叠设置的第一导电类型盖帽层、第二导电类型盖帽层和栅极电极；场截止层，位于第二导电类型盖帽层内和或穿插在第二导电类型盖帽层背离半导体外延层的表面；其中，场截止层在衬底上的垂直投影小于第二导电类型盖帽层在衬底上的垂直投影；场截止层的导电类型为第二导电类型，且场截止层中第二导电类型掺杂离子的浓度大于第二导电类型盖帽层中第二导电类型掺杂离子的浓度。本发明提供的技术方案，改善了栅极电场分布，提高了栅极结构可靠性以及降低了沟道电阻。

本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；半导体外延层，位于所述衬底的一侧；其中，所述半导体外延层内具有二维电子气的异质结；栅极结构，位于所述半导体外延层远离所述衬底的一侧；所述栅极结构包括依次层叠设置的第一导电类型盖帽层、第二导电类型盖帽层和栅极电极，以及，场截止层，位于所述第二导电类型盖帽层内和或穿插在所述第二导电类型盖帽层背离所述半导体外延层的表面；其中，所述场截止层在所述衬底上的垂直投影小于所述第二导电类型盖帽层在所述衬底上的垂直投影；所述场截止层的导电类型为第二导电类型，且所述场截止层中第二导电类型掺杂离子的浓度大于所述第二导电类型盖帽层中第二导电类型掺杂离子的浓度；所述场截止层的数量为多个；在所述场截止层穿插在所述第二导电类型盖帽层远离所述半导体外延层的表面的情况下，所述第二导电类型盖帽层远离所述第一导电类型盖帽层的表面包括多个凸起，所述凸起位于相邻的两个场截止层之间。

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