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龙图腾网恭喜江苏吉莱微电子股份有限公司;成都吉莱芯科技有限公司申请的专利一种单向低压瞬态抑制二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230618B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411755477.0，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权一种单向低压瞬态抑制二极管及其制备方法是由宋文龙;张鹏;杨珏林;张春生;陈城;刘湘;许志峰设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单向低压瞬态抑制二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开的一种单向低压瞬态抑制二极管，包括N++单晶片，依次形成在所述N++单晶片表面的外延P‑区和P‑‑区，设置于所述P‑‑区的Nb+埋层区、N+区以及P+区，设置于所述P‑‑区上方的介质层，设置于所述介质层上方的第一金属层，设置所述N++单晶片下方的第二金属层以及深槽，所述深槽从介质层向下延伸至所述N++单晶片。本发明的单向低压瞬态抑制二极管引入由N++单晶片与P‑区、Nb+埋层区组成的低压三极管NPN获得低击穿电压。在芯片面积不变的条件下，通过新的结构和工艺设计，获得更低的击穿电压，更低的漏电流。

本发明授权一种单向低压瞬态抑制二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单向低压瞬态抑制二极管，其特征在于，包括N++单晶片101，依次形成在所述N++单晶片101表面的外延P-区102和P--区104，形成于所述外延P-区102中的Nb+埋层区103a、103b，设置于所述P--区104的N+区106以及P+区107，设置于所述P--区104上方的介质层108a、108b、108c，设置于所述介质层上方的第一金属层109，设置所述N++单晶片101下方的第二金属层110以及深槽105a、105b、105c，所述深槽105a、105b、105c从介质层108a、108b、108c向下延伸至所述N++单晶片101，其中，所述Nb+埋层区103a、103b形成于外延P-区102中靠近深槽的部分区域中，并且位于所述N+区（106）的下方，所述深槽105a、105b、105c的深度为20-25μm，宽度为1-3μm，槽与槽的间距为2-4μm。

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