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龙图腾网恭喜北京理工大学申请的专利一种测量半导体薄膜材料第一电子亲和势的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119224027B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411718949.5，技术领域涉及：G01N23/2208；该发明授权一种测量半导体薄膜材料第一电子亲和势的方法是由王珊珊;杜建新;朱城;彭绍春;于晓勇;高培峰;张鹏翔;张雨桐;蒋浩然设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种测量半导体薄膜材料第一电子亲和势的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种测量半导体薄膜材料第一电子亲和势的方法，属于表界面分析领域，该测量方法包括：标定步骤、测试步骤和计算步骤。该方法在主超高真空室中搭载真空紫外光电子能谱系统和反光电子能谱系统，通过将紫外光电子能谱技术和反光电子能谱技术相结合，不仅能获得相对于费米能级的二次电子截止边能量位置以及功函数，还可以获得导带底位置或获得最低未占据分子轨道位置，而且通过计算进一步获得半导体薄膜材料的第一电子亲和势数值，该测量方法便捷、操作过程简单、准确度高、普适性强。

本发明授权一种测量半导体薄膜材料第一电子亲和势的方法在权利要求书中公布了：1.一种测量半导体薄膜材料第一电子亲和势的方法，其特征在于，包括以下步骤：标定步骤：将真空紫外光电子能谱系统和反光电子能谱系统置于同一主超高真空室中，对同一标准样品分别采集真空紫外光电子能谱谱图和反光电子能谱谱图，确定其真空紫外光电子能谱和反光电子能谱费米能级EF的位置，并且分别对费米能级EF进行校准，校准完后的费米能级EF=0eV；测试步骤：应用真空紫外光电子能谱系统，采集待测半导体薄膜材料的紫外光电子能谱谱图，获得其相对于费米能级EF的二次电子截止边能量位置Ecut-off，获取功函数WF；应用反光电子能谱系统，采集所述待测半导体薄膜材料的反光电子能谱谱图，获得其相对于费米能级EF的导带底位置ECBM或最低未占据分子轨道位置ELUMO；计算步骤：计算所述待测半导体薄膜材料的第一电子亲和势数值，表述为EA=|WF|-|ECBM|或EA=|WF|-|ELUMO|。

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