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龙图腾网恭喜蓝芯存储技术(赣州)有限公司申请的专利导航芯片封装的静电测试方法、装置、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119203873B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411686524.0，技术领域涉及：G06F30/333；该发明授权导航芯片封装的静电测试方法、装置、设备及存储介质是由庄晓鹏;郑传锋;江雄;谢院生设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本导航芯片封装的静电测试方法、装置、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明涉及一种导航芯片封装的静电测试方法、装置、设备及存储介质，包括以下步骤：识别所述三维封装模型是否存在缺陷信息，若存在，基于所述缺陷信息对所述三维封装模型进行缺陷类型识别和定位，得到缺陷类型及所述缺陷类型对应的缺陷位置；通过预设的静电场模拟软件对所述缺陷位置对应的静电电场分布进行仿真测试，得到电场强度分布图；基于所述电场强度分布图对所述导航芯片进行影响性能程度评估，得到导航芯片的性能影响评估等级；若所述性能影响评估等级超过预设的等级阈值，则基于所述缺陷位置的电场强度分布图及所述缺陷类型制定静电防护设计方案，解决了导航芯片的封装过程中，静电放电现象成会影响芯片性能与寿命的技术问题。

本发明授权导航芯片封装的静电测试方法、装置、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种导航芯片封装的静电测试方法，其特征在于，应用于导航芯片封装装置，所述导航芯片封装装置内设置有导航芯片，包括以下步骤：对所述导航芯片封装装置进行表面形貌扫描，得到导航芯片的三维封装模型；识别所述三维封装模型是否存在缺陷信息，若存在，则通过预设的缺陷识别算法，基于所述缺陷信息对所述三维封装模型进行缺陷类型识别和定位，得到缺陷类型及所述缺陷类型对应的缺陷位置；通过预设的静电场模拟软件对所述缺陷位置对应的静电电场分布进行仿真测试，得到电场强度分布图；基于所述电场强度分布图对所述导航芯片进行影响性能程度评估，得到导航芯片的性能影响评估等级；若所述性能影响评估等级超过预设的等级阈值，则基于所述缺陷位置的电场强度分布图及所述缺陷类型制定静电防护设计方案；所述通过预设的缺陷识别算法，基于所述缺陷信息对所述三维封装模型进行缺陷类型识别和定位，得到缺陷类型及所述缺陷类型对应的缺陷位置，包括：通过预设的缺陷识别算法对所述三维封装模型进行缺陷特征提取，得到多尺度缺陷特征图；通过所述缺陷识别算法内的注意力机制对所述多尺度缺陷特征图进行初步缺陷识别，得到初步缺陷候选区域；其中，所述初步缺陷候选区域至少具有一个；对所述初步缺陷候选区域进行缺陷形态学处理，得到缺陷边界区域；在各个所述缺陷边界区域选择对应的关键缺陷点，并以各个所述缺陷边界区域对应的关键缺陷点为中心，建立对应极坐标系；将所述极坐标系的空间划分为若干个离散单元格，并统计若干个所述离散单元格的关键缺陷点对应个数，得到关键缺陷点的统计结果；基于所述统计结果建立局部形状上下文直方图；将所有所述局部形状上下文直方图进行串联，得到各个极坐标系对应缺陷边界区域的缺陷特征向量；将各个所述缺陷特征向量输入预先训练好的SVM分类器中进行缺陷分类和定位，得到缺陷类型及所述缺陷类型对应的缺陷位置；其中，所述缺陷类型包括裂纹、气泡及划痕。

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