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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种多次可编程器件及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119173036B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411684095.3，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权一种多次可编程器件及电子设备是由康绍磊;姚福民设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多次可编程器件及电子设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种多次可编程器件及电子设备，多次可编程器件包括半导体层；位于半导体层中的阱区和隔离结构，所述隔离结构围绕所述阱区；选择晶体管和浮栅晶体管，形成于所述阱区中，所述浮栅晶体管的浮栅从所述阱区上方延伸至所述隔离结构上方；以及控制栅，位于所述隔离结构上方，所述控制栅在水平方向与所述浮栅相对；其中，所述浮栅和所述控制栅之间经由栅间介质层隔离，所述浮栅、所述栅间介质层和所述控制栅构成电容结构，所述控制栅控制所述浮栅的电位。本申请的多次可编程器件缩小了器件尺寸，并且提高了控制栅与浮栅之间耦合比。

本发明授权一种多次可编程器件及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种多次可编程器件，包括：半导体层；位于半导体层中的阱区和隔离结构，所述隔离结构围绕所述阱区；选择晶体管和浮栅晶体管，形成于所述阱区中，所述浮栅晶体管的浮栅从所述阱区上方延伸至所述隔离结构上方；以及控制栅，位于所述隔离结构上方，所述控制栅在水平方向与所述浮栅相对；其中，所述浮栅和所述控制栅之间经由栅间介质层隔离，所述浮栅、所述栅间介质层和所述控制栅构成电容结构，所述控制栅控制所述浮栅的电位；所述浮栅在第一轴线方向延伸，包括位于阱区上方的第一部分和位于隔离结构上方的第二部分，所述控制栅围绕所述浮栅的第二部分；所述选择晶体管的选择栅和所述阱区之间，所述浮栅和所述阱区之间以及所述控制栅和所述隔离结构之间设置有栅介质层，所述选择栅和所述阱区之间的栅介质层，所述浮栅和所述阱区之间的栅介质层以及所述控制栅和所述隔离结构之间的栅介质层的厚度相同，所述选择栅、所述浮栅和所述控制栅位于同一水平面上。

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