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龙图腾网恭喜国网浙江省电力有限公司杭州供电公司;国网浙江省电力有限公司杭州市萧山区供电公司;国网浙江省电力有限公司申请的专利一种基于半软开关调制技术的开关损耗评估方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119167850B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411659666.8，技术领域涉及：G06F30/3308；该发明授权一种基于半软开关调制技术的开关损耗评估方法及系统是由刘箭;刘兴业;苏毅方;王凯;汤霄;沈海江;赵淑威;漏亦楠;徐家玮;史碧航;马超;计青青;赵磊;杨泽鑫;朱苑琪;詹少雄;叶俪玮;俞晖;孙诚智;张逸琦设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于半软开关调制技术的开关损耗评估方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于半软开关调制技术的开关损耗评估方法及系统，涉及信息技术领域。本发明获取器件的寄生电感参数和缓冲电容参数，建立谐振电路工作模型，通过求解模型得到初始电压波形和初始电流波形，并计算对应的电压应力和电流应力；通过使用遗传算法优化器件的寄生电感参数和缓冲电容参数；根据优化后的器件参数调整缓冲电路设计，重新进行谐振过程的仿真，并对优化后的谐振电压波形和谐振电流波形进行频域分析，并对器件参数和缓冲电路设计进行优化。最后进行半软开关调制仿真，构建仿真开关损耗和实测开关损耗的温度系数映射关系，确定器件的最优设计方案，有效降低了器件的开关损耗，保证了器件工作在安全工作区域内。

本发明授权一种基于半软开关调制技术的开关损耗评估方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于半软开关调制技术的开关损耗评估方法，其特征在于，包括：获取待评估的SiC-MOSFET器件的寄生电感参数和缓冲电容参数；根据所述寄生电感参数和缓冲电容参数构建SiC-MOSFET器件的谐振电路工作模型，并求解所述谐振电路工作模型，得到初始谐振电压波形和初始谐振电流波形；根据所述初始谐振电压波形和初始谐振电流波形计算SiC-MOSFET器件的电压应力和电流应力，并根据所述电压应力和电流应力判断所述SiC-MOSFET器件是否处于安全工作状态；当所述SiC-MOSFET器件处于安全工作状态时，根据所述初始谐振电压波形和初始谐振电流波形确定SiC-MOSFET器件的总开关损耗；以最小化总开关损耗为目标函数，根据遗传算法对SiC-MOSFET器件的寄生电感参数和缓冲电容参数进行优化，得到第一寄生电感参数和第一缓冲电容参数；根据第一寄生电感参数和第一缓冲电容参数调整SiC-MOSFET器件的缓冲电路设计，得到第一谐振电压波形和第一谐振电流波形；对所述第一谐振电压波形和第一谐振电流波形进行频域分析，得到谐振频率和谐振幅值，并根据谐振频率和谐振幅值对SiC-MOSFET器件参数和缓冲电路设计进行优化；根据优化后的SiC-MOSFET器件参数和缓冲电路设计获取实测谐振电压波形、实测谐振电流波形和实测开关损耗；对所述SiC-MOSFET器件进行半软开关调制仿真，获取仿真开关损耗，构建所述仿真开关损耗和实测开关损耗的温度系数映射关系，确定所述SiC-MOSFET器件的最优设计方案，完成对SiC-MOSFET器件的开关损耗评估。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人国网浙江省电力有限公司杭州供电公司;国网浙江省电力有限公司杭州市萧山区供电公司;国网浙江省电力有限公司，其通讯地址为：310000 浙江省杭州市上城区解放东路59号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。