恭喜中润新能源(滁州)有限公司沈琪琳获国家专利权
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龙图腾网恭喜中润新能源(滁州)有限公司申请的专利异质结电池及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119170669B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411659384.8，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权异质结电池及其制作方法是由沈琪琳;李贺杰;丰平设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本异质结电池及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种异质结电池及其制作方法，涉及光伏技术领域。异质结电池包括依次层叠设置的第一透明导电层、n型掺杂硅层、第一本征硅层、硅片层、第二本征硅层、氧化层、p型掺杂硅层以及第二透明导电层，异质结电池还包括第一电极和第二电极，第一电极设置于第一透明导电层，第二电极设置于第二透明导电层，其中，氧化层包括p型氧化硅层，氧化层的厚度为0.5~2.5nm。通过在第二本征硅层和p型掺杂硅层之间插入p型氧化硅层，能够减少能带不连续性，提升电池的填充因子。同时，由于提供了隧穿途径，因此能够提升空穴载流子迁移率。
本发明授权异质结电池及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种异质结电池，其特征在于，包括依次层叠设置的第一透明导电层、n型掺杂硅层、第一本征硅层、硅片层、第二本征硅层、氧化层、p型掺杂硅层以及第二透明导电层，异质结电池还包括第一电极和第二电极，所述第一电极设置于第一透明导电层，第二电极设置于第二透明导电层，其中，所述氧化层包括p型氧化硅层，所述氧化层的厚度为0.5~2.5nm；所述氧化层还包括无掺杂氧化硅层，所述无掺杂氧化硅层与所述p型氧化硅层层叠设置，所述无掺杂氧化硅层与所述第二本征硅层相连，所述p型氧化硅层与所述p型掺杂硅层相连，所述p型氧化硅层的掺杂浓度为1×1018~1×1020cm-3。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中润新能源(滁州)有限公司，其通讯地址为：239000 安徽省滁州市琅琊区经济开发区六安路西段；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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