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龙图腾网恭喜中国科学技术大学;合肥国家实验室申请的专利单电子晶体管射频反射测量结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119147929B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411613808.7，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权单电子晶体管射频反射测量结构及其制备方法是由李海欧;楚凝;廖伟筑;祝圣凯;王储;李傲然;郭国平设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本单电子晶体管射频反射测量结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种单电子晶体管射频反射测量结构及其制备方法，该单电子晶体管射频反射测量结构包括基片，栅氧化层，劈裂栅极组件包括条状的沟道限制栅极；第一栅极单元设置在沟道限制栅极的第一侧，在界面上并且位于耗尽区的一侧形成第一量子点；第二栅极单元，设置沟道限制栅极的第二侧，在界面上并且位于耗尽区的另一侧形成第二量子点；间隔设置的源极和漏极，分别在第一侧、从栅氧化层的上方延伸至界面，与第一量子点和第一栅极单元形成单电子晶体管；第一栅极单元包括第一积累栅极，邻近第一量子点设置，适用于传输射频信号，以利用射频信号和单电子晶体管与第二量子点之间的电容耦合作用，实现对第二量子点中的第二电子状态的测量。

本发明授权单电子晶体管射频反射测量结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单电子晶体管射频反射测量结构，其特征在于，用于硅基半导体量子芯片，所述单电子晶体管射频反射测量结构包括：基片；栅氧化层，设置在所述基片上，劈裂栅极组件，设置在所述栅氧化层上，所述劈裂栅极组件包括：条状的沟道限制栅极，沿横向方向布置在所述栅氧化层上，适用于使位于栅氧化层和所述基片之间的界面上形成耗尽区，以阻止电子从所述耗尽区的一侧隧穿到另一侧；第一栅极单元，设置在所述沟道限制栅极的第一侧，适用于在所述界面上并且位于所述耗尽区的一侧形成第一量子点；第二栅极单元，设置在所述沟道限制栅极与所述第一侧相对的第二侧，适用于在所述界面上并且位于所述耗尽区的另一侧形成第二量子点；间隔设置的源极和漏极，均在所述第一侧，且均从所述栅氧化层的上方延伸至所述界面，所述源极和所述漏极与所述第一量子点和所述第一栅极单元形成单电子晶体管；其中，所述第一栅极单元包括：第一积累栅极，邻近所述第一量子点设置，适用于传输来自外部的射频信号，以利用所述射频信号，以及利用所述单电子晶体管与所述第二量子点之间的电容耦合作用，实现对所述第二量子点中的第二电子状态的测量。

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