恭喜长春长光圆辰微电子技术有限公司叶武阳获国家专利权
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龙图腾网恭喜长春长光圆辰微电子技术有限公司申请的专利基于BSI工艺的晶圆背面减薄方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119069497B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411556912.7，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权基于BSI工艺的晶圆背面减薄方法是由叶武阳;姜舫;陶继闯;单世威设计研发完成，并于2024-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于BSI工艺的晶圆背面减薄方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于BSI工艺的晶圆背面减薄方法，属于半导体制造技术领域，包括以下步骤：（1）提供待减薄的晶圆；（2）采用减薄工艺对所述晶圆进行减薄至目标厚度；（3）在减薄后的晶圆表面形成氧化层并进行化学机械平坦化处理；（4）在平坦化的晶圆减薄面铺设硅烯层后进行退火处理；本发明在现有的减薄工艺方法基础上，将减薄至目标厚度的晶圆背面进行表面氧化和平坦化处理再铺设硅烯层进行退火以提高完成晶圆背面减薄工艺的晶圆背面的平整度。
本发明授权基于BSI工艺的晶圆背面减薄方法在权利要求书中公布了：1.一种基于BSI工艺的晶圆背面减薄方法，其特征在于，包括以下步骤：1提供待减薄的晶圆；2采用减薄工艺对所述晶圆进行减薄至目标厚度；3在减薄后的晶圆表面形成氧化层并进行化学机械平坦化处理；4在平坦化的晶圆减薄面铺设硅烯层后进行退火处理。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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