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龙图腾网恭喜北京晶格领域半导体有限公司申请的专利一种快速生长大尺寸高质量立方碳化硅单晶的装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119041005B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411535917.1，技术领域涉及：C30B15/00；该发明授权一种快速生长大尺寸高质量立方碳化硅单晶的装置及方法是由王国宾;张泽盛设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种快速生长大尺寸高质量立方碳化硅单晶的装置及方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种快速生长大尺寸高质量立方碳化硅单晶的装置及方法，属于晶体生长技术领域，该装置包括坩埚组件、籽晶组件以及设置在坩埚组件外侧的加热组件和位于加热组件和坩埚组件之间的保温组件；坩埚组件包括坩埚和设置在坩埚下方用于推动和旋转坩埚的推动旋转部件；籽晶组件包括以榫卯结构连接的籽晶托和提拉旋转部件以及用于锁紧榫卯结构的锁紧部件；提拉旋转部件用于提拉和旋转籽晶托；籽晶托的周边设置有用于固定碳化硅原料棒的固定部件。本发明提供的装置可以有效克服由于生长温度较低导致的熔体黏度大、流动性差、溶质传输速率低等严重限制晶体生长速度和质量的问题，满足快速生长大尺寸立方碳化硅单晶的工艺需求。

本发明授权一种快速生长大尺寸高质量立方碳化硅单晶的装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种快速生长大尺寸高质量立方碳化硅单晶的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：S1.将助熔剂置于坩埚中，加热至所述助熔剂完全液化，得到熔体；S2.将固定在籽晶托上的碳化硅原料棒与所述熔体接触，并使所述籽晶托进行旋转，得到混合熔体；S3.将碳化硅籽晶与所述混合熔体接触，进行晶体生长，得到立方碳化硅单晶；在晶体生长过程中，所述籽晶托进行周期性旋转，同时坩埚以相同周期进行反向周期性旋转；所述周期性旋转中每个周期包括：籽晶托沿正方向旋转，于第一预设时间加速至第一预设转速并保持第二预设时间，然后于第一预设时间减速至0，再沿反方向旋转，于第一预设时间加速至第一预设转速并保持第二预设时间，最后于第一预设时间减速至0；所述反向周期性旋转中每个周期包括：坩埚沿反方向旋转，于第一预设时间加速至第二预设转速并保持第二预设时间，然后于第一预设时间减速至0，再沿正方向旋转，于第一预设时间加速至第二预设转速并保持第二预设时间，然后于第一预设时间减速至0；所述第一预设转速大于所述第二预设转速；所述第一预设转速为10~80rpm；所述第二预设转速为5~20rpm；所述第一预设时间为5~60min；所述第二预设时间为20~120min；所述方法通过快速生长大尺寸高质量立方碳化硅单晶的装置实现，所述装置包括坩埚组件、籽晶组件以及设置在所述坩埚组件外侧的加热组件和位于所述加热组件和所述坩埚组件之间的保温组件；所述坩埚组件包括坩埚和设置在所述坩埚下方用于推动和旋转所述坩埚的推动旋转部件；所述籽晶组件包括以榫卯结构连接的籽晶托和提拉旋转部件以及用于锁紧所述榫卯结构的锁紧部件；所述提拉旋转部件用于提拉和旋转所述籽晶托；所述籽晶托的周边设置有用于固定碳化硅原料棒的固定部件。

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