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龙图腾网恭喜北京晶格领域半导体有限公司申请的专利一种快速生长大尺寸高质量碳化硅单晶的装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119041006B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411535920.3，技术领域涉及：C30B15/00；该发明授权一种快速生长大尺寸高质量碳化硅单晶的装置及方法是由王国宾;张泽盛设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种快速生长大尺寸高质量碳化硅单晶的装置及方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种快速生长大尺寸高质量碳化硅单晶的装置及方法，属于晶体生长技术领域，该装置包括坩埚组件、籽晶组件以及设置在坩埚组件外侧的加热组件和位于加热组件和坩埚组件之间的保温组件；坩埚组件包括坩埚和设置在坩埚下方用于推动和旋转坩埚的推动旋转部件；籽晶组件包括籽晶杆、籽晶托和涡轮散热器；籽晶托包括籽晶托基板和与籽晶托基板固定连接的连接杆；连接杆与籽晶杆通过榫卯结构连接；榫卯结构通过锁紧部件进行锁紧；涡轮散热器包括涡轮轴筒和分布在涡轮轴筒上的涡轮叶片；涡轮轴筒套合在连接杆上；涡轮散热器沿第一方向旋转时加速散热，沿第二方向旋转时抑制散热。本发明提供的装置可实现大尺寸高质量碳化硅单晶的快速生长。

本发明授权一种快速生长大尺寸高质量碳化硅单晶的装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种快速生长大尺寸高质量碳化硅单晶的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：S1.将助熔剂和硅置于坩埚中，加热至混合物完全液化，得到熔体；S2.将籽晶杆沿第二方向以第一预设转速旋转第一预设时间后，使籽晶与所述熔体接触，进行晶体生长，得到碳化硅单晶；在晶体生长过程中，根据不同阶段的散热需求调控所述籽晶杆的旋转方向和速度，坩埚的旋转方向始终与所述籽晶的旋转方向相反；在晶体生长过程中，当所述籽晶与所述熔体接触后，籽晶杆沿第二方向以第二预设转速旋转第二预设时间，然后于第三预设时间，将转速减速至0且沿第一方向加速至第三预设转速，再以第三预设转速旋转第四预设时间，最后根据保温组件采用的保温材料的保温性能衰减曲线，于第五预设时间将转速减至第四预设转速，以确保散热速率保持稳定；所述第二预设转速大于所述第一预设转速；所述第三预设转速大于所述第二预设转速；所述第一预设转速为5~30rpm；所述第二预设转速为10~60rpm；所述第三预设转速为60~240rpm；所述方法通过快速生长大尺寸高质量碳化硅单晶的装置实现，所述装置包括坩埚组件、籽晶组件以及设置在所述坩埚组件外侧的加热组件和位于所述加热组件和所述坩埚组件之间的保温组件；所述坩埚组件包括坩埚和设置在所述坩埚下方用于推动和旋转所述坩埚的推动旋转部件；所述籽晶组件包括籽晶杆、籽晶托和涡轮散热器；所述籽晶托包括籽晶托基板和与所述籽晶托基板固定连接的连接杆；所述连接杆与所述籽晶杆通过榫卯结构连接；所述榫卯结构通过锁紧部件进行锁紧；所述涡轮散热器包括涡轮轴筒和分布在所述涡轮轴筒上的涡轮叶片；所述涡轮轴筒套合在所述连接杆上；所述涡轮散热器沿第一方向旋转时加速散热，沿第二方向旋转时抑制散热。

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