恭喜北京晶格领域半导体有限公司王国宾获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京晶格领域半导体有限公司申请的专利一种用于液相法生长圆柱形碳化硅单晶的装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119041007B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411535921.8，技术领域涉及：C30B15/00；该发明授权一种用于液相法生长圆柱形碳化硅单晶的装置及方法是由王国宾;张泽盛设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于液相法生长圆柱形碳化硅单晶的装置及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及碳化硅单晶的制备技术领域，特别涉及一种用于液相法生长圆柱形碳化硅单晶的装置及方法。该装置包括安装在碳化硅籽晶上方的散热控制装置包括六条夹角均为60°、长度相等的棱，每个棱远离中心的端点之间为向中心凹的圆弧连接，不同棱之间通过向下凹陷的曲面连接，棱所在的部分的厚度最大，散热最慢，相邻两条棱形成的角的平分线的位置的厚度最小，散热最快；控制籽晶的晶向和棱的方向一致，籽晶的晶向和相邻两条棱的角平分线一致。本发明提供了一种用于液相法生长圆柱形碳化硅单晶的装置及方法，能够有效抑制碳化硅晶体在液相生长中生长速率的各向异性，并制备得到圆柱形碳化硅晶体，以降低晶圆加工难度和成本。
本发明授权一种用于液相法生长圆柱形碳化硅单晶的装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种用于液相法生长圆柱形碳化硅晶体的装置，其特征在于，包括安装在碳化硅籽晶（7）上方的散热控制装置（11），所述散热控制装置（11）中间厚，四周薄，且具有六次对称性的各向异性结构，包括六条夹角均为60°、长度相等的棱，每个所述棱远离中心的端点之间通过向中心凹的圆弧连接，不同所述棱之间通过向下凹陷的曲面连接，使距离所述散热控制装置（11）中心相同距离的部位，所述棱所在的部分的厚度最大，散热速率最小，相邻的两条所述棱形成的角的平分线的位置的厚度最小，散热速率最大；所述散热控制装置在安装的时候与碳化硅籽晶的晶向保持固定的对应关系，所述碳化硅籽晶的晶向和棱的方向一致，碳化硅籽晶的晶向和相邻两条棱的角平分线一致。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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