恭喜北京晶格领域半导体有限公司张泽盛获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京晶格领域半导体有限公司申请的专利碳化硅晶体生长用助熔剂、立方碳化硅晶体及其生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119041008B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411535925.6，技术领域涉及：C30B15/00；该发明授权碳化硅晶体生长用助熔剂、立方碳化硅晶体及其生长方法是由张泽盛;龚春生;王国宾设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅晶体生长用助熔剂、立方碳化硅晶体及其生长方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种碳化硅晶体生长用助熔剂、立方碳化硅晶体及其生长方法，属于晶体生长技术领域，所述助熔剂为包含稀土金属、过渡金属和碳的合金：所述稀土金属与所述过渡金属的摩尔比为1:9~9:1。本发明提供的助熔剂可以降低碳化硅晶体的生长的温度，实现更低温下碳化硅晶体的生长，同时可以增加碳在硅熔体中的溶解度，提高晶体生长前期硅熔体中碳的浓度，可实现在更短的时间得到高质量、大尺寸的碳化硅晶体。
本发明授权碳化硅晶体生长用助熔剂、立方碳化硅晶体及其生长方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶体生长用助熔剂，其特征在于，所述助熔剂为包含稀土金属、过渡金属和碳的合金；所述稀土金属为La、Ce、Pr中的一种或多种；所述过渡金属为Ni、Co中的至少一种；所述稀土金属与所述过渡金属的摩尔比为1:9~9:1。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京晶格领域半导体有限公司，其通讯地址为：101300 北京市顺义区中关村科技园区顺义区临空二路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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