买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜北京晶格领域半导体有限公司申请的专利一种用于液相生长碳化硅晶体的装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119041009B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411535926.0，技术领域涉及：C30B15/00；该发明授权一种用于液相生长碳化硅晶体的装置及方法是由张泽盛;龚春生;王国宾设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于液相生长碳化硅晶体的装置及方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种用于液相生长碳化硅晶体的装置及方法，属于晶体生长技术领域，该装置包括坩埚组件、籽晶杆组件、位于坩埚组件外侧的发热组件及包裹坩埚组件、籽晶杆组件和发热组件的保温组件；坩埚组件包括由外至内依次设置的第一坩埚和第二坩埚；第一坩埚设置有可拆卸的坩埚盖，坩埚盖上设置有用于固定籽晶杆组件的固定部件；第一坩埚的内底面设置有凸台；第二坩埚的外底部设置有与凸台形状相匹配的凹槽，凹槽中部设置有用于推拉和旋转第二坩埚的推动组件；推动组件依次贯穿第一坩埚、发热组件和保温组件的底部。本发明提供的装置可以确保碳化硅晶体生长过程温度稳定性，同时避免籽晶提拉和旋转过程抖动过大的问题。

本发明授权一种用于液相生长碳化硅晶体的装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种液相生长立方碳化硅晶体的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：将助熔剂和硅的混合物放入第二坩埚中，通过发热组件对所述第二坩埚进行加热使所述混合物熔化，得到熔体；所述助熔剂为包含稀土金属、过渡金属和碳的合金；所述稀土金属为La、Ce、Pr中的一种或多种；所述过渡金属为Ni、Co中的至少一种；所述稀土金属与所述过渡金属的摩尔比不低于7:3；通过推动组件使所述熔体与固定在籽晶杆组件上的碳化硅籽晶接触，进行立方碳化硅晶体的生长，得到立方碳化硅晶体；所述立方碳化硅晶体的生长温度为1300~1400℃；所述方法通过液相生长碳化硅晶体的装置实现，所述装置包括坩埚组件、籽晶杆组件、位于所述坩埚组件外侧的发热组件及包裹所述坩埚组件、所述籽晶杆组件和所述发热组件的保温组件；所述坩埚组件包括由外至内依次设置的第一坩埚和第二坩埚；所述第一坩埚设置有可拆卸的坩埚盖，所述坩埚盖上设置有用于固定所述籽晶杆组件的固定部；所述第一坩埚的内底面设置有凸台；所述第二坩埚的外底部设置有与所述凸台相匹配的凹槽，所述凹槽中部设置有用于推拉和旋转所述第二坩埚的推动组件；所述推动组件依次贯穿所述第一坩埚、所述发热组件和所述保温组件的底部。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京晶格领域半导体有限公司，其通讯地址为：101300 北京市顺义区中关村科技园区顺义区临空二路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。