买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜北京晶格领域半导体有限公司申请的专利一种液相法碳化硅单晶的生长装置及生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119041010B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411535927.5，技术领域涉及：C30B15/00；该发明授权一种液相法碳化硅单晶的生长装置及生长方法是由张泽盛;张广宇设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种液相法碳化硅单晶的生长装置及生长方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种液相法碳化硅单晶的生长装置及生长方法，属于碳化硅单晶生产技术领域。生长装置包括生长坩埚、固定有籽晶的籽晶杆、用于测定生长原料位置的激光测距仪、活动石墨块、制动装置和封堵石墨；生长坩埚的坩埚盖对应激光测距仪出光孔的正下方设有预留孔；生长坩埚侧壁设有至少四列孔洞，每列孔洞自上而下间隔均匀分布，底部中心位置设有一个孔洞，活动石墨块填充在孔洞内，封堵石墨一端嵌入孔洞，另一端套在生长坩埚外壁；封堵石墨中心设有供制动装置穿过并与活动石墨块连接的开孔，制动装置用于控制活动石墨块相对生长原料前后移动。本发明装置可以实现长晶前的高温线位置确定与调整，可以减弱生长溶液中自循环对流，提高碳的利用率。

本发明授权一种液相法碳化硅单晶的生长装置及生长方法在权利要求书中公布了：1.一种液相法碳化硅单晶的生长装置，其特征在于：所述生长装置包括用于装盛生长原料的生长坩埚、固定有籽晶的籽晶杆、用于测定生长原料位置的激光测距仪、活动石墨块、制动装置和封堵石墨；所述生长坩埚包括坩埚主体和坩埚盖，所述坩埚盖上开设有预留孔，所述预留孔位于所述激光测距仪的出光孔的正下方；所述生长坩埚的侧壁开设有多个孔洞，多个所述孔洞在生长坩埚的侧壁上等间距地呈至少四列排列，每列含有的孔洞自上而下间隔均匀分布，所述生长坩埚的底部中心位置开设有一个孔洞，所述活动石墨块填充在所述孔洞内，所述封堵石墨的一端嵌入所述孔洞内，另一端套接在所述生长坩埚的外壁上；位于所述生长坩埚侧壁的活动石墨块的厚度不小于所述生长坩埚的侧壁厚度的910，但小于所述生长坩埚的侧壁厚度；位于所述生长坩埚底部中心位置的活动石墨块的厚度不小于所述生长坩埚的底部厚度的910，但小于所述生长坩埚的底部厚度；所述封堵石墨的中心开设有用于供所述制动装置穿过的开孔，所述制动装置穿过所述开孔并与所述活动石墨块连接，所述制动装置用于控制所述活动石墨块相对所述生长原料前后移动；将填充在生长坩埚的底部中心位置的孔洞内的活动石墨块通过制动装置推入液态的生长原料中时，推入距离为生长坩埚的底部厚度的34；将填充在生长坩埚的侧壁上的一列孔洞内的活动石墨块自上而下依次通过制动装置推入液态的生长原料中时，推入距离均为生长坩埚的侧壁厚度的34。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京晶格领域半导体有限公司，其通讯地址为：101300 北京市顺义区中关村科技园区顺义区临空二路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。