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龙图腾网恭喜锦浪科技股份有限公司申请的专利三相差模磁集成电感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119049856B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411534461.7，技术领域涉及：H01F27/34；该发明授权三相差模磁集成电感器是由柳百毅;季建强;程琨设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本三相差模磁集成电感器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种三相差模磁集成电感器，涉及电感技术领域，该结构包括三个边缘差模磁柱、中心共模磁柱、第一磁轭和第二磁轭，三个边缘差模磁柱和中心共模磁柱均设置在第一磁轭和第二磁轭之间且相互平行，中心共模磁柱、第一磁轭和第二磁轭的磁导率均大于边缘差模磁柱的磁导率；其中，每个边缘差模磁柱上均绕设有差模绕组以及与差模绕组对应的三相磁通平衡绕组，三相磁通平衡绕组与对应的差模绕组的绕向相反，三个边缘差模磁柱上绕设的差模绕组的磁导率相同，且差模绕组的匝数为对应的三相磁通平衡绕组中子磁通平衡绕组的匝数的二倍或三倍。本发明能够降低电感器在非对称负载条件下的损耗，提高电感器的性能。

本发明授权三相差模磁集成电感器在权利要求书中公布了：1.一种三相差模磁集成电感器，其特征在于，包括三个边缘差模磁柱（1）、中心共模磁柱（2）、第一磁轭（3）和第二磁轭（4），三个所述边缘差模磁柱（1）和所述中心共模磁柱（2）均设置在所述第一磁轭（3）和所述第二磁轭（4）之间且相互平行，所述中心共模磁柱（2）、所述第一磁轭（3）和所述第二磁轭（4）的磁导率均大于所述边缘差模磁柱（1）的磁导率；其中，每个所述边缘差模磁柱（1）上均绕设有差模绕组（5）以及与所述差模绕组（5）对应的三相磁通平衡绕组（6），所述三相磁通平衡绕组（6）与对应的所述差模绕组（5）的绕向相反，三个所述边缘差模磁柱（1）上绕设的差模绕组（5）的磁导率相同，所述三相磁通平衡绕组（6）包括A相子磁通平衡绕组（61）、B相子磁通平衡绕组（62）和C相子磁通平衡绕组（63），所述A相子磁通平衡绕组（61）、B相子磁通平衡绕组（62）和C相子磁通平衡绕组（63）的匝数均相同，所述差模绕组（5）的匝数为所述A相子磁通平衡绕组（61）、或所述B相子磁通平衡绕组（62）、或所述C相子磁通平衡绕组（63）的匝数的三倍；三个所述边缘差模磁柱（1）分别为A相边缘差模磁柱（11）、B相边缘差模磁柱（12）和C相边缘差模磁柱（13），所述A相边缘差模磁柱（11）上绕设的差模绕组（5）为A相差模绕组51，所述B相边缘差模磁柱（12）上绕设的差模绕组（5）为B相差模绕组52，所述C相边缘差模磁柱（13）上绕设的差模绕组（5）为C相差模绕组53，三相电流中的A相电流流经所述A相差模绕组51使得所述A相边缘差模磁柱（11）、所述中心共模磁柱（2）、所述第一磁轭（3）和所述第二磁轭（4）构成A相闭合磁路，所述三相电流中的B相电流流经所述B相差模绕组52使得所述B相边缘差模磁柱（12）、所述中心共模磁柱（2）、所述第一磁轭（3）和所述第二磁轭（4）构成B相闭合磁路，所述三相电流中的C相电流流经所述C相差模绕组53使得所述C相边缘差模磁柱（13）、所述中心共模磁柱（2）、所述第一磁轭（3）和所述第二磁轭（4）构成C相闭合磁路，所述A相闭合磁路、所述B相闭合磁路和所述C相闭合磁路的等效磁路长度和等效截面积均相同；其中，所述A相子磁通平衡绕组（61）、所述B相子磁通平衡绕组（62）和所述C相子磁通平衡绕组（63）在对应的所述边缘差模磁柱（1）上分层同心绕制。

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