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龙图腾网恭喜中国科学技术大学申请的专利一种用于激光等离子体的低电磁干扰脉冲强磁场装置及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119031559B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411527540.5，技术领域涉及：H05H1/10；该发明授权一种用于激光等离子体的低电磁干扰脉冲强磁场装置及设备是由胡广月设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于激光等离子体的低电磁干扰脉冲强磁场装置及设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于激光等离子体的低电磁干扰脉冲强磁场装置及设备，包括：传输线缆，传输线缆为三同轴结构；金属屏蔽箱，与传输线缆一端的金属屏蔽层连接并接地；触发开关,触发开关的回流电极与外层电极连接；储能电容器，位于金属屏蔽箱内部，与金属屏蔽箱绝缘隔开；真空靶室，其内设置磁场线圈，磁场线圈分别与传输线缆另一端的芯电极和外层电极连接。本发明的传输线缆采用三同轴结构，在作为传导回流电流的外层电极外增加了金属屏蔽层，该金属屏蔽层与用于屏蔽储能电容器的电磁辐射的金属屏蔽箱连接并接地，对装置在整体上形成了全封闭的屏蔽，能够大幅度降低脉冲大电流产生的电磁辐射干扰。

本发明授权一种用于激光等离子体的低电磁干扰脉冲强磁场装置及设备在权利要求书中公布了：1.一种用于激光等离子体的低电磁干扰脉冲强磁场装置，其特征在于，包括：传输线缆，所述传输线缆为三同轴结构，包括：芯电极，由内至外依次包覆所述芯电极的第一绝缘层、外层电极、第二绝缘层以及金属屏蔽层；金属屏蔽箱，与所述传输线缆一端的所述金属屏蔽层连接并接地；触发开关,所述触发开关的回流电极与所述外层电极连接；储能电容器，位于所述金属屏蔽箱内部，与所述金属屏蔽箱绝缘隔开；所述储能电容器的回流电极与同一端的所述外层电极连接，所述储能电容器的出流电极与所述触发开关连接；真空靶室，其内设置磁场线圈，所述磁场线圈分别与所述传输线缆另一端的所述芯电极和所述外层电极连接；还包括：引线屏蔽筒；所述磁场线圈通过电极引线与所述传输线缆连接，所述电极引线包覆绝缘层，设置在所述引线屏蔽筒内；所述引线屏蔽筒与传输线缆的金属屏蔽层连接。

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