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龙图腾网恭喜博越微电子(江苏)有限公司申请的专利一种基于LPDDR5/5X发射器的信号增强电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119010919B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411472483.5，技术领域涉及：H03M9/00；该发明授权一种基于LPDDR5/5X发射器的信号增强电路是由薛战;潘育生;于国庆;张冬青设计研发完成，并于2024-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于LPDDR5/5X发射器的信号增强电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于LPDDR55X发射器的信号增强电路，所述信号增强电路包括：并串转换模块，用于将并行低速数据转换为串行高速数据；驱动模块，用于接收所述并串转换模块的输出并进行信号放大；信号增强模块，用于增强所述驱动模块的输出信号；其中，所述并串转换模块的输出与所述驱动模块的输入相连，所述驱动模块的输出与所述信号增强模块的输出端相连。本发明通过在信号增强模块中集成延迟模块、电压调节模块以及精细的PMOS和NMOS晶体管控制技术，解决了高速数据传输中由封装和PCB引起的信号衰减、码间干扰ISI和串扰问题，优化了信号质量。

本发明授权一种基于LPDDR5/5X发射器的信号增强电路在权利要求书中公布了：1.一种基于LPDDR55X发射器的信号增强电路，其特征在于，所述信号增强电路包括：并串转换模块，用于将并行低速数据转换为串行高速数据；驱动模块，用于接收所述并串转换模块的输出并进行信号放大；信号增强模块，用于增强所述驱动模块的输出信号；其中，所述并串转换模块的输出与所述驱动模块的输入相连，所述驱动模块的输出与所述信号增强模块的输出端相连；其中，所述信号增强模块包括：多个延迟单元，所述延迟单元由一个延迟子单元和一个电容串联得到；其中，首个所述延迟单元一端连接boost信号，另一端连接所述驱动模块的输出，之后的每个所述延迟单元一端跨接于前一个所述延迟单元的所述延迟子单元和所述电容之间，另一端连接在所述驱动模块的输出；或者，所述信号增强模块包括一个电压调节单元和一个占空比调节单元，所述占空比调节单元包括多个场效应晶体管支路，所述场效应晶体管支路由2个场效应晶体管组成；其中，所述电压调节单元一端连接boost信号，另一端连接所述占空比调节单元的输入端，多个所述场效应晶体管支路两端分别连接电压调节单元与VSS电源，且多个所述场效应晶体管支路中的2个所述场效应晶体管之间跨接于所述驱动模块的输出。

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