恭喜江西兆驰半导体有限公司胡加辉获国家专利权
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龙图腾网恭喜江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种发光二极管的外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969922B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411448960.4，技术领域涉及：H10H20/81；该发明授权一种发光二极管的外延片及其制备方法是由胡加辉;郑文杰;程龙;高虹;刘春杨;金从龙设计研发完成，并于2024-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管的外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体材料的技术领域，公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，所述外延片包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层、非掺杂GaN层、n型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和p型半导体层；其中，所述n型半导体层包括由下至上依次层叠的C‑Si共掺杂含镓氮化物层、第一Si掺杂第二Si掺杂含镓氮化物层和非掺杂第三Si掺杂含镓氮化物层。实施本发明，可以提供足够的Si掺杂浓度，同时使n型半导体层的晶体质量高，LED器件的亮度高，发光效率高。
本发明授权一种发光二极管的外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层、非掺杂GaN层、n型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和p型半导体层；其中，所述n型半导体层包括由下至上依次层叠的C-Si共掺杂含镓氮化物层、第一Si掺杂第二Si掺杂含镓氮化物层和非掺杂第三Si掺杂含镓氮化物层；所述第一Si掺杂含镓氮化物层中Si的掺杂浓度为X1，所述第二Si掺杂含镓氮化物层中Si的掺杂浓度为X2，满足X1＞X2；所述非掺杂第三Si掺杂含镓氮化物层为非掺杂含镓氮化物层和第三Si掺杂含镓氮化物层由下至上依次交替层叠形成的超晶格结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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