恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司王文智获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利多次可编程器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118946148B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411431300.5，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权多次可编程器件及其制造方法是由王文智;张国伟;王建智设计研发完成，并于2024-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本多次可编程器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了多次可编程器件及其制造方法，所述多次可编程器件包括：衬底，衬底包括阱区和隔离区，隔离区与阱区相邻设置，阱区包括在阱区延伸方向上排列的与阱区的导电类型不同的源区和漏区以及二者之间的沟道区；栅叠层，包括层叠设置的栅介质层和浮栅结构，位于沟道区的表面且栅介质层位于沟道区和浮栅结构之间；控制栅，位于隔离区表面上与浮栅结构相对的位置，且与浮栅结构之间通过栅间介质层隔开。本申请实现了多次可编程器件的体积小型化。
本发明授权多次可编程器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种多次可编程器件，包括：衬底，所述衬底包括阱区和隔离区，所述隔离区与所述阱区相邻设置，所述阱区包括在所述阱区延伸方向上排列的与所述阱区的导电类型不同的源区和漏区以及二者之间的沟道区；栅叠层，包括层叠设置的栅介质层和浮栅结构，位于所述沟道区的表面且所述栅介质层位于所述沟道区和所述浮栅结构之间；控制栅，位于所述隔离区表面上与所述浮栅结构相对的位置，且与所述浮栅结构之间通过栅间介质层隔开。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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