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龙图腾网恭喜江西萨瑞半导体技术有限公司申请的专利一种MOS晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118888597B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411376638.5，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种MOS晶体管及其制备方法是由余快;杜天伦设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MOS晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MOS晶体管及其制备方法，通过当MOS晶体管为TrenchNMOS晶体管时，设置两个开关，第一开关由第一多晶硅、两个第一N型掺杂区和P型阱区构成，第一多晶硅沉积于第一氧化层上，第二开关由外延层中开设的沟槽内的第二多晶硅形成的栅极构成，第二多晶硅沉积于第二氧化层上，第一氧化层的厚度大于第二氧化层的厚度，当MOS晶体管为TrenchPMOS晶体管时，所有掺杂类型与TrenchNMOS晶体管相反，具体的，由于拥有两个开关，使得MOS晶体管在栅压波动时电阻稳定，又能满足MOS晶体管具有较大的开启电压。

本发明授权一种MOS晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MOS晶体管，其特征在于，当MOS晶体管为TrenchNMOS晶体管时，TrenchNMOS晶体管包括衬底以及沉积于所述衬底上的外延层，所述外延层开设有沟槽，所述沟槽两侧均设置有两个第一N型掺杂区和P型阱区，所述P型阱区包括第一子区域和由所述第一子区域朝远离所述衬底方向延伸出的第二子区域，两个所述第一N型掺杂区关于所述第二子区域对称，所述P型阱区与所述衬底之间的区域为第二N型掺杂区，且所述第一N型掺杂区的掺杂浓度大于所述第二N型掺杂区的掺杂浓度；所述沟槽两侧的两个所述第一N型掺杂区和所述P型阱区远离所述衬底的一端均依次沉积有第一氧化层和第一多晶硅，且两个第一N型掺杂区中距离沟槽较近的第一N型掺杂区与沟槽表面的第二氧化层相接触；所述沟槽的表面沉积有第二氧化层，所述第二氧化层形成的沟槽内填充有第二多晶硅；其中，所述第一多晶硅形成第一栅极，与对应的两个所述第一N型掺杂区和所述P型阱区组成第一开关，所述第二多晶硅形成第二栅极，作为第二开关，所述第一氧化层的厚度大于所述第二氧化层的厚度，远离所述沟槽的第一N型掺杂区用于与源极电性连接，所述第一栅极和所述第二栅极分别与栅极电性连接，所述衬底与漏极电性连接；或者，当MOS晶体管为TrenchPMOS晶体管时，所有掺杂类型与TrenchNMOS晶体管相反，具体的，TrenchPMOS晶体管包括衬底以及沉积于所述衬底上的外延层，所述外延层开设有沟槽，所述沟槽两侧均设置有两个第一P型掺杂区和N型阱区，所述N型阱区包括第三子区域和由所述第三子区域朝远离所述衬底方向延伸出的第四子区域，两个所述第一P型掺杂区关于所述第四子区域对称，所述N型阱区与所述衬底之间的区域为第二P型掺杂区，且所述第一P型掺杂区的掺杂浓度大于所述第二P型掺杂区的掺杂浓度；所述沟槽两侧的两个所述第一P型掺杂区和所述N型阱区远离所述衬底的一端均依次沉积有第一氧化层和第一多晶硅，且两个第一P型掺杂区中距离沟槽较近的第一P型掺杂区与沟槽表面的第二氧化层相接触；所述沟槽的表面沉积有第二氧化层，所述第二氧化层形成的沟槽内填充有第二多晶硅；其中，所述第一多晶硅形成第一栅极，与对应的两个所述第一P型掺杂区和所述N型阱区组成第一开关，所述第二多晶硅形成第二栅极，作为第二开关，所述第一氧化层的厚度大于所述第二氧化层的厚度，远离所述沟槽的第一P型掺杂区用于与源极电性连接，所述第一栅极和所述第二栅极分别与栅极电性连接，所述衬底与漏极电性连接。

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