恭喜湖南联合半导体科技有限公司杨泰生获国家专利权
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龙图腾网恭喜湖南联合半导体科技有限公司申请的专利一种用于制备颗粒产品的化学气相沉积装置及其方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118854252B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410922297.0,技术领域涉及:C23C16/44;该发明授权一种用于制备颗粒产品的化学气相沉积装置及其方法是由杨泰生设计研发完成,并于2024-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于制备颗粒产品的化学气相沉积装置及其方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种用于制备颗粒产品的化学气相沉积装置,筒体竖直设置在化学气相沉积炉的内腔中,筒体的上端抵接于上盖,下端抵接于下盖;筒体的内壁上设置有至少三个支撑圆环;筒体内设置有至少三个多孔板;多孔板具有若干个通孔,多孔板的边缘搁置于支撑圆环上;相邻两个多孔板之间设置有若干个喷管,喷管的侧壁上设置有若干个穿孔,喷管的下端抵接于下方的多孔板,喷管的上端抵接于上方的多孔板;下方的多孔板的通孔全部对应于若干个喷管的内腔,上方的多孔板的通孔全部对应于若干个喷管之间的间隙。本发明通过对反应气体的流动路径进行引导、控制,实现了高纯碳化硅粉在原料气氛中通过化学气相沉积长大,可实现大粒径、高纯度颗粒的制备。
本发明授权一种用于制备颗粒产品的化学气相沉积装置及其方法在权利要求书中公布了:1.一种用于制备颗粒产品的化学气相沉积装置,其包括化学气相沉积炉(1),所述化学气相沉积炉(1)包括上盖(1.1)和下盖(1.2),所述下盖(1.2)设置有进气通道(1.3),所述上盖(1.1)设置有出气通道(1.4),其特征在于,还包括筒体(2)、多孔板(3)和喷管(4);所述筒体(2)竖直设置在所述化学气相沉积炉(1)的内腔中,所述筒体(2)的上端抵接于所述上盖(1.1),下端抵接于所述下盖(1.2);所述筒体(2)的内壁上设置有至少三个支撑圆环(2.1);所述筒体(2)内沿着竖直方向间隔设置有至少三个所述多孔板(3),最下方的所述多孔板(3)与所述下盖(1.2)之间具有间隙;所述多孔板(3)具有若干个通孔(3.1),所述多孔板(3)的边缘搁置于所述支撑圆环(2.1)上;相邻两个所述多孔板(3)之间设置有若干个所述喷管(4),所述喷管(4)的侧壁上设置有若干个穿孔(4.1),所述喷管(4)竖直设置,且所述喷管(4)的下端抵接于其下方的所述多孔板(3),所述喷管(4)的上端抵接于其上方的所述多孔板(3);所述喷管(4)下方的所述多孔板(3)的通孔(3.1)全部对应于若干个所述喷管(4)的内腔,所述喷管(4)上方的所述多孔板(3)的通孔(3.1)全部对应于若干个所述喷管(4)之间的间隙。
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